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全球变化研究国家重大科学研究计划(2008ZX01002-002)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：郝跃薛军帅王平亚张进成周勇波更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶格匹配
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇高电子迁移率

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张金风
  • 1篇周勇波
  • 1篇张进成
  • 1篇王平亚
  • 1篇薛军帅
  • 1篇郝跃

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究被引量：2
2011年
文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,则霍尔迁移率在室温和77K下分别上升到1437和5308cm2/Vs.分析样品的X射线衍射、原子力显微镜测试结果以及脉冲MOCVD生长方法的特点,发现InAlN/GaN材料的结晶质量较高,与GaN晶格匹配的InAlN材料具有平滑的表面和界面.InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料形成高迁移率特性的主要原因归结为形成了密度相对较低(1.6×1013—1.8×1013cm-2)的2DEG,高质量的InAlN晶体降低了组分不均匀分布引起的合金无序散射,以及2DEG所在界面的粗糙度较小,削弱了界面粗糙度散射.
张金风王平亚薛军帅周勇波张进成郝跃
关键词：二维电子气迁移率
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共1页<1>
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