国家自然科学基金(10002909)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：中国科学院微电子研究所四川大学更多>>
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- 8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关(英文)被引量：3
- 2008年
- 基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.
- 吴茹菲尹军舰刘会东张海英
- 关键词：单刀双掷GAASPIN二极管
- X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管(英文)被引量：1
- 2008年
- 报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz^12.1GHz范围内,正向电流为10 mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10 V时开关电容小于20fF.
- 吴茹菲张海英尹军舰张健刘会东刘训春
- 关键词：GAASPIN二极管低损耗高隔离
- C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关(英文)
- 2008年
- 基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺，研究了一种单片单刀单掷开关．为了仿真该单片单刀单掷开关，研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型．在5．5～7．5GHz的频段内，开关正向导通时的插入损耗低于1．6dB，回波损耗大于10dB，开关关断状态的隔离度大于23dB．
- 吴茹菲张健尹军舰张海英
- 关键词：C波段开关GAASPIN二极管
- GaAs PIN二极管的新等效电路模型(英文)被引量：1
- 2008年
- 基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成p+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.
- 吴茹菲张海英尹军舰李潇刘会东刘训春
- 关键词：GAASPIN二极管
