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中央高校基本科研业务费专项资金(HUST2012QN150)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇开关晶体管
  • 1篇恒流
  • 1篇恒流充电
  • 1篇反向开关晶体...
  • 1篇RSD
  • 1篇充电
  • 1篇充电技术
  • 1篇电技术

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇邹雪城
  • 1篇余亮
  • 1篇梁琳
  • 1篇李飞龙

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于LCL谐振变换结构的RSD重频系统充电技术被引量：1
2014年
全固态半导体开关,即反向开关晶体管(RSD)因其具有全面积、纳秒至微秒级导通等特有的性质,在脉冲功率领域有着良好的应用前景。研究了RSD脉冲功率系统主储能电容的恒流充电技术。利用交流小信号分析法对基于LCL谐振变换结构的充电电源工作原理进行了详细阐述,分析了恒流特性、恒压特性及开关管的软开关特性,利用Orcad Pspice仿真软件进行了仿真验证。同时从功率损耗方面对开关管IGBT的缓冲吸收回路进行了优化设计。通过27 ms将27μF电容器充电至1.1 kV的实验证明了基于LCL拓扑的谐振变换充电电源具有恒流、控制简单、宽负载应用范围等优点,适用于主储能电容器的高精度、快速充电。
李飞龙余亮梁琳邹雪城
关键词：反向开关晶体管恒流充电
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