您的位置： 专家智库 > >

国家科技重大专项(2011ZX02507-003)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：王跃林熊斌徐德辉刘米丰姚邵康更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇形变
  • 1篇压力传感器
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻式
  • 1篇压阻式压力传...
  • 1篇压阻效应
  • 1篇塑性
  • 1篇塑性形变
  • 1篇屈服强度
  • 1篇微结构
  • 1篇力传感器
  • 1篇共面
  • 1篇共面波导
  • 1篇感器
  • 1篇XEF
  • 1篇波导
  • 1篇插入损耗
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇徐德辉
  • 2篇熊斌
  • 2篇王跃林
  • 1篇徐铭
  • 1篇姚邵康
  • 1篇刘米丰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
压阻式压力传感器微结构塑性形变及影响
2013年
由于体硅微机械工艺制作绝压压阻式压力传感器的过程中,通过Si-Si直接键合形成的带真空腔的微结构在高温和大气压的作用下会产生塑性形变,对器件制作工艺中微结构发生的塑性变形及其对器件性能的影响进行了研究。基于Von Mises屈服准则和有限元仿真,微结构发生塑性变形的临界工艺条件可以通过比较微结构的最大等效应力和材料屈服强度进行预测。在器件的制作过程中,Si-Si键合和扩散电阻条的工艺顺序不同,将会导致塑性变形对器件的影响程度也不同。实验结果表明器件塑性形变量与弹性形变量成线性正比关系;在先进行Si-Si键合后扩散电阻的情况下,器件电阻值远远偏离设计值,反之则会减小塑性变形对器件电阻值的影响。
徐铭徐德辉姚邵康熊斌王跃林
关键词：压力传感器屈服强度塑性形变压阻效应
基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导被引量：1
2012年
在低阻硅（1-10Ω.cm）衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm。微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1-10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1-3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54 dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅（1 400-1 500Ω.cm）衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm。
刘米丰熊斌徐德辉王跃林
关键词：共面波导插入损耗
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0