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浙江省科技厅新苗人才计划(2007R40G2030150)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：黄仕华寿莎更多>>
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相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米SI
  • 1篇晶格
  • 1篇SI
  • 1篇SIO
  • 1篇超晶格

机构

  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 1篇寿莎
  • 1篇黄仕华

传媒

  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si/SiO_2超晶格晶化特性影响因素分析被引量：1
2008年
Si/SiO_2超晶格是近年发展起来的一种新的Si基纳米结构,有着广阔的应用前景。该材料结构是通过选择合适的镀膜技术(如热反应蒸发、分子束外延),在衬底表面交替形成Si/SiO_2纳米薄膜,对该结构热处理后形成Si/SiO_2纳米结构。衬底温度、衬底材料、沉积薄膜厚度、应用的退火过程等均会影响超晶格中纳米Si的形成。具体分析了上述因素对形成纳米Si的影响。
寿莎黄仕华
关键词：纳米SI退火
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共1页<1>
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