国家高技术研究发展计划(2007AA032404)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光
- 2008年
- 采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332eV附近有三个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射(FXA)、施主束缚激子(D0X)和其双电子伴线(TES),随着温度升高,施主热解离,导致D0X峰强下降,而FXA增强,同时DAP峰也向e-A0峰转变。深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的负热淬灭效应,讨论了其产生原因。
- 陈慧顾书林朱顺明
- 关键词：激子
- MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究
- 2008年
- 采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式。研究发现,高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度地激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。
- 朱光耀顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相淀积表面形貌晶体质量
- N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光
- 采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1 000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、...
- 陈慧顾书林朱顺明
- 关键词：激子
- 文献传递
- MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究
- 采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,...
- 朱光耀顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相淀积表面形貌晶体质量
- 文献传递
