您的位置： 专家智库 > >

国家重点实验室开放基金(J1010103)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：李莉莉丁明清冯进军更多>>
相关机构：北京真空电子技术研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇二次电子
  • 1篇二次电子发射
  • 1篇负电子亲和势
  • 1篇B掺杂
  • 1篇CVD生长
  • 1篇MP
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京真空电子...

作者

  • 1篇冯进军
  • 1篇丁明清
  • 1篇李莉莉

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
MPCVD生长B掺杂金刚石膜的二次电子发射研究(英文)被引量：1
2013年
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为。对于B_2H_6/CH_4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9。值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理。如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留。另外,10 mg/L B_2H_6/CH_4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2。
丁明清李莉莉冯进军
关键词：负电子亲和势
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0