以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品的光学特性和I-V特性。结果表明:在相同的生长液浓度下,籽晶层对所生长的纳米线尺度分布有显著影响。所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性。ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性,而ZnO纳米线/Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性。
