国家科技重大专项(2009ZX02023-2-1)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 相关作者：李曦石艳玲蔡静祝文韬王勇更多>>
- 相关机构：华东师范大学上海集成电路研发中心更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>
- N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究
- 2011年
- SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化。通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3×10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少。因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能。
- 周群林钢李曦沈国飞曹刚石艳玲
- 关键词：退火工艺界面态
- 隔层不交叠多层电感分析与设计
- 2011年
- 提出了一种隔层不重叠的新型结构片上螺旋电感,其实现工艺与标准CMOS多层布线技术兼容。结合螺旋电感的集总模型,利用电磁场仿真软件HFSS进行了该器件的模拟仿真,与相同结构参数和工艺参数的传统不隔层交叠多层电感相比,提出的新型电感在品质因子、自谐振频率、3dB带宽等性能参数上明显改善,其中电感品质因子提高3.5%,带宽增加65%,自谐振频率提高127%,且最大品质因子处对应的电感值达到nH量级,符合射频电路应用的需求。
- 祝文韬李小进蔡静胡少坚王勇李曦石艳玲
- 关键词：品质因子HFSS仿真损耗
