浙江省自然科学基金(Z104621)
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 相关作者：秦会斌郑梁史东强黄增荣胡秀江更多>>
- 相关机构：杭州电子科技大学中国电子科技集团第52研究所更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程电气工程更多>>
- 电子镇流器中脉冲变压器磁芯对传导干扰的研究
- 2006年
- 电子镇流器就等于一个高频电源,而且频率越高,节能越有效果。高频电源对所有组成元器件有特定的要求,磁性器件及器件所用材料的选择是关键之一。研究了电子镇流器中不同频率特性的脉冲变压器磁芯对传导干扰的影响问题,实验数据发现脉冲变压器磁芯电感值随频率变化,对电子镇流器的传导频谱的影响明显。实验结果对于电子镇流器设计和磁芯材料研制具有参考价值。
- 张斌秦会斌
- 关键词：镇流器脉冲变压器电感
- 扩频法超声测距中的渡越时间的确定被引量：9
- 2007年
- 基于对扩频技术在雷达系统中的应用和数字相关器进行的研究,提出一种扩频法超声波测距中渡越时间捕获的方法。适当选择的一个伪随机序列信号,经超声传感器调制发射。然后通过数字相关方法求出发射序列和接收序列的相位差,即渡越时间。在计算自相关函数时用并行数字相关技术代替傅里叶变换算法,这样显著地减少了数据处理时间和现场可编程门阵列(FPGA)资源。系统以Altera公司的quartusⅡ软件为开发平台,经逻辑综合、布局布线后,适配到FPGA芯片中,给出了仿真结果。
- 黄增荣秦会斌黄博志礼攀胡秀江
- 关键词：计量学超声测距扩频技术渡越时间数字相关器
- NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响被引量：6
- 2006年
- 用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe20薄膜。研究了NiFe层厚度对薄膜电阻变化量ΔR的影响。实验发现ΔR随NiFe厚度先变大后减小,最大约为0.3Ω,当NiFe厚度达到140nm后ΔR趋于饱和。其变化的原因是NiFe厚度影响着晶粒尺寸和表面粗糙度,进而影响着电子的散射,使ΔR呈现上述的变化趋势。
- 季雅静秦会斌叶丽云
- 关键词：磁电阻磁控溅射
- 射频集成化薄膜电感的设计和制备
- 2005年
- 介绍了一种新型的基于硅IC模拟电路工艺的射频集成薄膜电感。描述了集成薄膜电感的工作原理。采用一个紧凑集总电路模型来等效模拟集成化电感的电路效应。结合硅基模拟IC工艺技术,采用磁性材料薄膜层的设计,给出薄膜电感工艺流程,制备了薄膜电感样品。在1MHz^1GHz的频率范围内对薄膜电感样品进行了阻抗特性和Q值的测试。样品串联电感值为5.52nH,在600~800MHz时,获得最大为1.4的Q值。
- 郑梁史东强秦会斌
- 关键词：集成电路工艺模拟电路阻抗特性
- AMR薄膜弱磁场传感头的优化设计被引量：2
- 2005年
- 镍铁基合金薄膜是各向异性磁电阻传感器常用的传感材料,基于光刻工艺的弱磁场传感器的灵敏度与传感头的图形设计有关,传感头磁电阻图形的优化设计可以使薄膜具有更好的各向异性磁电阻效应。在研究了基于光刻工艺的弱磁场传感器基础上,为了提高弱磁场的测试灵敏度,结合具体的光刻工艺对传感头的磁电阻图形作了优化设计。结合对具体的材料分析阐述了设计原理,给出了设计对灵敏度和输出产生的影响。
- 史东强郑梁秦会斌
- 关键词：各向异性磁电阻磁场传感器优化设计
- NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响
- 用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe20薄膜。研究了NiFe层厚度对薄膜电阻变化量ΔR的影响。实验发现ΔR随NiFe厚度先变大后减小,最大约为0.3Ω,当NiFe厚度达到140nm后ΔR趋于饱和。其变化的...
- 季雅静秦会斌叶丽云
- 关键词：磁电阻磁控溅射
- 文献传递
