公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

Zno压敏陶瓷的介电谱被引量：5: 2012年; 在-160℃—200℃温度范围内、0.1 Hz—0.1 MHz频率范围内测量了ZnO压敏陶瓷的介电频谱,发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程,获得的Schottky势垒高度为0.77 eV.基于背靠背双Schottky势垒模型,提出当存在直流偏压时,势垒高度将随直流偏压线性增大.基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小,进而计算出晶粒平均尺寸为6.8μm,该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5%以内.可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征,还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征.; 成鹏飞李盛涛李建英

直流老化及热处理对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响被引量：12: 2013年; 在电场为3.2kV/cm,电流密度为50mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115h后ZnO压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分别从2845V/cm,38.3下降到51.6V/cm,1.1,介电损耗中的缺陷松弛峰被增大的直流电导掩盖,电模量中只观察到一个缺陷松弛峰,低频区交流电导率急剧增大并且相应的电导活化能从0.84eV下降到只有0.083eV.通过对直流老化后的ZnO压敏陶瓷在800℃进行12h的热处理,发现其电气性能和介电性能都得到了良好的恢复并有一定的增强,电位梯度、非线性系数恢复到3085V/cm,50.8,电导活化能上升到0.88eV.另外,其本征氧空位缺陷松弛峰也得到了一定的抑制.因此,认为热处理过程中氧在晶界处的扩散作用对ZnO压敏陶瓷的直流老化恢复起到了关键作用.; 赵学童李建英贾然李盛涛; 关键词：ZNO压敏陶瓷介电性能

ZnO压敏陶瓷缺陷结构表征及冲击老化机理研究被引量：13: 2012年; 对多元ZnO压敏陶瓷电阻片进行了多达14000次的大电流冲击老化试验,通过显微结构、电气性能及介电特性的测量对其缺陷结构进行了表征,并研究了缺陷结构与大电流冲击老化之间的关系.试验表明多次大电流冲击老化导致试样的电气性能明显下降,发现ZnO压敏陶瓷的几何效应不仅受控于晶粒还与晶界密切相关.另外,通过介电谱分析观察到ZnO压敏陶瓷存在四种缺陷弛豫过程,低温-60℃下的两个缺陷弛豫峰激活能约为0.24 eV和0.35 eV,认为它们分别对应着本征的锌填隙缺陷L（Zni¨）和氧空位缺陷L（Vo＇）并且不受冲击老化的影响.高温80℃以上两个松弛峰的活化能约为0.71 eV和0.84 eV,认为它们分别对应着非本征的晶间相电子陷阱L（ingr）和晶界处界面态陷阱L（gb）.发现大电流冲击后,仅界面态陷阱激活能从0.84 eV降低到0.76 eV,认为界面态陷阱主要控制着ZnO压敏陶瓷的电气性能和稳定性.; 赵学童李建英李欢李盛涛; 关键词：ZNO压敏陶瓷压敏电压

ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究被引量：24: 2010年; 使用8/20μs脉冲电流发生器对普通商用ZnO陶瓷压敏电阻片进行了最多5000次的冲击试验.测量了冲击前后试样的电气性能和介电特性,分析了冲击后小电流区的U-I特性和损耗角正切值tanδ随脉冲大电流的不断作用而发生的变化.实验发现压敏电压U1mA随冲击次数的增加经历增大—稳定—减小三个过程.认为正反偏Schottky势垒的中性费米能级的变化是影响样品小电流区的最根本原因.本文提出用试样的非线性系数α作为老化特征参数比传统的U1mA能更好地表征其老化程度;发现在-100℃时,冲击600次后介电频谱中在105Hz附近出现新的损耗峰,该损耗峰的活化能随冲击次数的增大而降低,最后趋于稳定,认为该冲击老化过程中出现的新峰是由晶界中的陷阱俘获和发射注入的电子所引起.; 尹桂来李建英尧广成鹏飞李盛涛; 关键词：ZNO压敏陶瓷压敏电压

简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究被引量：3: 2012年; 具有巨介电常数的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃—1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的品粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tanδ最低达到0.04.认为CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51 eV.,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10 eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降.; 贾然顾访吴珍华赵学童李建英; 关键词：巨介电常数共沉淀法

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(50977071)