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国家高技术研究发展计划(2009AA01z255)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：张民张方迪叶培大更多>>
相关机构：华东电子工程研究所北京邮电大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇半导体
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇华东电子工程...

作者

  • 1篇叶培大
  • 1篇张方迪
  • 1篇张民

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种GaN宽禁带功率放大器的设计被引量：7
2010年
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种Si波段GaN宽禁带功率放大器（10W）。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
张方迪张民叶培大
关键词：宽禁带半导体功率放大器GAN
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