山东省自然科学基金(Y2007A05)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
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- 相关机构：山东师范大学山东轻工业学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 激光诱导硅等离子体的时间分辨发射光谱分析被引量：4
- 2009年
- 文中探测了硅靶在波长为1.064μm、脉宽10ns的脉冲激光辐照下等离子体时间分辨发射光谱,分析了电子温度、电子密度和连续谱的演化。利用能级寿命和连续谱最大强度的出现时间解释了NⅡ399.5nm、SiⅡ385.6nm和SiⅡ386.3nm谱线强度最大值的出现时间。NⅡ399.5nm谱线的寿命比Si II谱线的寿命要短得多,我们认为这和它们的产生过程有关。在1Pa的背景气压下能够探测到Si III和Si IV的光谱线,而在1.01×105Pa时却无法分辨。
- 王娟陈传松满宝元郭娟周贤明
- 关键词：激光诱导等离子体等离子体光谱硅
- 少周期脉冲激光在稠密的Λ型三能级原子介质中传播时的频谱分析
- 2011年
- 利用由预估校正法和时域有限差分法求解全波Maxwell—Bloch方程得到的数值解,研究了超短脉冲激光在稠密的三能级原子系统中的频谱演化规律.研究发现:不管是在稀疏介质中还是在稠密介质中,由于自相位调制作用,频谱均被展宽,而在稠密介质中频谱的宽度要远大于稀疏介质中的情况,这主要是由于近偶极—偶极作用导致的.在稠密介质中,由于近偶极—偶极作用和自相位调制作用,频谱出现高频连续波,可以得到覆盖频率范围为10ωp的超连续谱.
- 马慧宋强
- 关键词：自相位调制超连续光谱
- ZnO多角晶须的制备及表征被引量：2
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法制备了ZnO晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了表征。结果表明,采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构,其根部直径大约在100～500nm之间,尖部直径大约为40nm左右,长约几个微米。Zn薄膜能够有效地促使晶核的形成与长大从而促进了ZnO晶须的形成。最后,简单讨论了ZnO纳米晶须的生长机制。
- 冯立兵刘爱华刘玫马玉英满宝元
- 关键词：ZNO晶须X射线衍射光致发光
- 准分子激光对半导体材料HgCdTe和Si的损伤实验研究被引量：1
- 2008年
- 本文利用光学显微镜和扫描电镜对248nm准分子强激光辐照HgCdTe和Si晶片的表面损伤形貌和损伤过程进行了对比分析,结果表明在248nm准分子激光作用下,HgCdTe材料主要表现为解离剥蚀破坏和熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理既包含光化学作用也包含光热作用;而Si材料则主要表现为熔融烧蚀破坏,准分子激光对其损伤机理主要为光热作用。
- 戚树明陈传松郭娟周新玲王娟满宝元
- 关键词：光热作用
- 脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。
- 马玉英刘爱华许士才郭进进侯娟满宝元
