国防科技技术预先研究基金(8173)
- 作品数：9 被引量：25H指数：4
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- 4H-SiCN离子注入层的特性(英文)
- 2002年
- 研究了在 4 H- Si C p型外延层上用 N离子注入制备 n型层的方法及其特性 ,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件 TRIM进行了模拟 .为了测试注入层的特性 ,制备了横向肖特基二极管和 TL M(transfer length m ethod)结构 .测得的 N激活浓度为 3.0× 10 1 6 cm- 3,计算出激活率为 0 .0 2 .注入层方块电阻为 30 kΩ/□ ,电阻率为 0 .72 Ω·cm,并计算出电子迁移率为 30 0 cm2 / (V· s) .
- 王守国张义门张玉明杨林安
- 关键词：4H-SICSIC离子注入退火方块电阻碳化硅
- 4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析被引量：5
- 2002年
- 采用载流子速度饱和理论 ,建立了包含“自热效应”影响的适用于 4H SiCMESFET的大信号输出I V特性解析模型 ,在模型中引入了温度变化的因素 ,提出了非恒定衬底环境温度T0 的热传导模型 ,模拟结果与实验值一致 。
- 杨林安张义门龚仁喜张玉明
- 关键词：4H-SICMESFET自热效应金属半导体场效应晶体管半导体材料
- 基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型被引量：5
- 2002年
- 采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 。
- 杨林安张义门张玉明
- 关键词：4H-SIC射频功率MESFET
- 离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)被引量：1
- 2003年
- 考虑离子注入沟道和沟道深度的影响 ,提出了精确的离子注入 4 H- Si C MESFET器件夹断电压的理论计算方法 .注入浓度由蒙特卡罗模拟软件 TRIM提取计算 .研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响 .
- 王守国张义门张玉明
- 关键词：碳化硅离子注入MESFET夹断电压
- SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型被引量：6
- 2003年
- 针对 4H SiC射频大功率MESFET ,建立了一个解析的陷阱效应模型 ,该模型采用简化参数描述方法 ,并结合自热效应分析 ,从理论上完善了SiCMESFET大信号直流I V特性的解析模型 ,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量 .
- 杨林安张义门于春利张玉明
- 关键词：SIC碳化硅金属-半导体场效应晶体管界面态
- 离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响(英文)被引量：1
- 2004年
- 采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 。
- 杨林安张义门于春利张玉明陈刚黄念宁
- 关键词：退火欧姆接触I-V特性
- 表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响被引量：3
- 2003年
- 分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
- 杨林安张义门于春利杨永民张玉明
- 关键词：表面态稳态响应
- SiC-MESFET器件的夹断电压被引量：2
- 2003年
- 考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。
- 王守国张义门张玉明张志勇阎军锋
- 关键词：夹断电压界面态反向漏电流
- 4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型被引量：15
- 2001年
- 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .
- 杨林安张义门吕红亮张玉明于春利
- 关键词：4H-SIC射频功率MESFET场效应晶体管
