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国家重点基础研究发展计划(2002CB613500)

作品数:20 被引量:37H指数:3
相关作者:张泽韩晓东顾长志刘显强李俊杰更多>>
相关机构:中国科学院北京工业大学中国科学院山西煤炭化学研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 12篇会议论文

领域

  • 19篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 7篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 15篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 7篇SIC纳米线
  • 5篇纳米材料
  • 4篇量子阱结构
  • 4篇纳米管
  • 4篇TEM表征
  • 4篇HREM
  • 3篇隧道结
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇晶格
  • 3篇INGAN/...
  • 3篇弛豫
  • 3篇磁性隧道结
  • 2篇电子全息
  • 2篇一维纳米
  • 2篇一维纳米材料
  • 2篇异质结
  • 2篇应变弛豫
  • 2篇时效

机构

  • 22篇北京工业大学
  • 19篇中国科学院
  • 4篇中国科学院山...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 24篇张泽
  • 11篇韩晓东
  • 7篇张跃飞
  • 7篇郭向云
  • 7篇刘显强
  • 7篇郑坤
  • 7篇郝雅娟
  • 4篇李超荣
  • 4篇顾长志
  • 4篇张晓娜
  • 3篇李海钧
  • 3篇贾金锋
  • 3篇李俊杰
  • 3篇刘玉资
  • 3篇吕威
  • 3篇孙威
  • 3篇薛其坤
  • 2篇梅增霞
  • 2篇杜小龙
  • 2篇孙莉

传媒

  • 12篇电子显微学报
  • 4篇物理学报
  • 3篇物理
  • 3篇2005年全...
  • 1篇Rare M...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2007
  • 8篇2006
  • 17篇2005
  • 3篇2004
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性
2006年
介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所以通过测定内建电场的方向就可以确定结构的生长极性.还用会聚束电子衍射方法对电子全息方法的测定结果进行了验证.
戴涛刘玉资张泽
关键词:电子全息极化
利用扫描隧道显微镜构建纳米结构被引量:2
2007年
通过对在Si(111)-7×7表面上生长的Pb岛施加脉冲偏压,Pb岛受到触发而自发再生长。通过调节操纵参数(如脉冲电压的大小和时间),岛的高度及形状可以较精确地控制。用这种方法,我们可以制造出一些特定形状的纳米结构,例如中空和半中空的纳米阱等,还可以在更大尺度(微米)上进一步构建由这些纳米结构单元构成的图案。在纳米结构的构建过程中,还观察到了量子效应对薄膜生长的影响。
李绍春贾金锋薛其坤
关键词:扫描隧道显微镜PB
Co基磁性隧道结势垒结构的电子全息研究被引量:2
2005年
利用高分辨电子显微术和电子全息方法研究了Co基磁性隧道结退火热处理前后的微观结构及相应势垒层结构的变化.研究结果表明,退火处理可以明显地改善势垒层和顶电极、底电极之间的界面质量,改进势垒层本身的结构.这与该磁性隧道结经过280℃退火处理后,隧道磁电阻值大大增加是一致的.
张喆朱涛冯玉清张泽
关键词:磁性隧道结电子全息
Mg-Y-Nd合金纳米析出相的电子显微研究
采用高分辨透射电子显微镜研究Mg-3.24Y-3Nd合金200℃时效6 h的纳米析出相。结果表明,在此时效条件下,析出相呈片状形貌沿着镁基体的 {11-20}Mg面析出。通过对60个这种析出相分析得出,沿镁基体[0001...
孙莉孙威马秀梅张泽
关键词:纳米析出相时效处理高分辨电子显微镜
文献传递
不同生长条件下Ag/SiO_x纳米结构形态的演变
2006年
张晓娜张泽
关键词:纳米材料SIOXAG物理机制
弯曲生长SiC纳米线的TEM表征被引量:1
2006年
张跃飞韩晓东郑坤刘显强张泽郝雅娟郭向云
关键词:Β-SICTEM表征纳米线一维纳米材料
InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响
2004年
李超荣吕威张泽
关键词:超晶格结构应变弛豫透射电子显微镜X射线衍射
InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响
<正> 量子阱或超品格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的...
李超荣吕威张泽
文献传递
单根准直碳纳米纤维的场发射特性被引量:3
2004年
采用等离子体增强热灯丝化学气相沉积方法 ,以甲烷和氢气为反应气体 ,在钨丝衬底上制备出准直的碳纳米纤维 (CNFs) ,其生长密度小于 10 6 cm- 2 ,长度为 6— 30 μm ,直径为 6 0— 10 0nm .并采用自制的双探针扫描电子显微镜系统 ,对所生长的单根CNF作了场发射特性研究 .结果表明 ,其场发射开启电压约为 5V μm ,相应的发射电流达到2 0 μA cm2 ,同时 ,对不同长度的CNFs及单根CNF不同位置的场发射研究表明 ,场发射电流的大小不仅与材料本身的功函数、外电场场强、材料的微观结构以及宏观的几何结构有关 ,而且电子在输运过程中所受到的散射也是决定场发射电流大小的关键因素 .
李海钧顾长志窦艳李俊杰
关键词:碳纳米纤维场发射扫描电子显微镜发射电流
一维SiC纳米线的微结构分析
本文利用透射电子显微镜(TEM)对碳热还原反应生成的一维SiC纳米材料的微结构和形貌进行研究和表征,从实验中发现SiC纳米线中含有大量的孪晶、高密度的层错、一维无序等亚结构,以及这些结构在一维方向的交替生长,利用 V-L...
张跃飞韩晓东郑坤刘显强张泽郝雅娟郭向云
关键词:SIC纳米线HREM微结构
文献传递
共4页<1234>
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