国家重点基础研究发展计划(5130702)
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
- 相关作者：谭春华范广涵李述体雷勇黄琨更多>>
- 相关机构：华南师范大学国防科学技术大学中国石油大学（北京）更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究
- 2005年
- 扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段。本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析。结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2 球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量。此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据。
- 谭春华范广涵许静李述体周天明龙永福孙慧卿
- 关键词：形貌二氧化硅微球蛋白石失配短程
- 温度对SiO_2光子晶体模板中生长InP的影响被引量：1
- 2006年
- 制备了人工欧泊SiO_2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO_2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO_2光子晶体模板中的生长有重要影响。隨着成核温度的升高,InP在SiO_2光子晶体模板中的填充率随之降低。
- 常伟范广涵谭春华李述体雷勇黄琨郑品棋陈宇彬
- 关键词：光电子学光子晶体温度
- 人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性被引量：5
- 2005年
- 制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的InP的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较好的符合.
- 谭春华范广涵许静龙永福李述体周天明黄琨雷勇
- 关键词：光子晶体
- 光子晶体的发展及制备研究被引量：5
- 2006年
- 介绍了光子晶体的产生、发展历程和制备方法等,实验研究了采用MOCVD技术制备的InP反蛋白石结构三维光子晶体,获得了较好的填充率和结晶质量.为制备三维全带隙InP光子晶体提供了科学依据.
- 常伟范广涵谭春华李述体郑树文雷勇黄琨
- 关键词：光子晶体INPMOCVD
- 垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO_2胶体晶体被引量：3
- 2005年
- 报道了一种利用直径为286 nm的单分散SiO2胶体颗粒制备胶体晶体的方法。乙醇悬浮中的SiO2颗粒通过毛细作用力在垂直插入其中的GaAs衬底表面自组装成胶体晶体。扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计对胶体晶体的形貌和光学特性进行了表征。结果显示,所得到的胶体晶体膜具有较好的三维有序结构。分析了退火对样品光子带隙的影响。
- 谭春华范广涵陈胜利周天明
- 关键词：蛋白石胶体晶体光子带隙垂直沉积法GAAS
