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国家重点实验室开放基金(ISN1003006)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇散射
  • 1篇散射机制
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇碳化硅
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇杨银堂
  • 1篇尚韬
  • 1篇郭立新
  • 1篇王平

传媒

  • 1篇西北大学学报...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同种类散射机制对宽禁带碳化硅输运性质的影响
2011年
目的基于低场输运模型,对4H-和6H-碳化硅电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算。方法计算中采用了各向同性弛豫时间近似法,考虑了对其低场输运有着重要影响的声学波形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子形变势散射、电离杂质散射以及中性杂质散射。结果得到了不同散射机制对于碳化硅电子霍耳迁移率的影响。结论该研究表明:中性杂质散射在低温高掺杂时是控制电子霍耳迁移率变化的主导因素,而在高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射等散射机制控制。
王平杨银堂郭立新尚韬
关键词：碳化硅散射机制
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