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InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究: 2009年; 分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A1(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为ne=1.61×1018cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A1(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。; 王瑞敏陈光德; 关键词：拉曼散射光谱

MOCVD生长的InGaN合金的发光特性被引量：6: 2005年; 研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性。样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发生蓝移。由于样品上下表面形成F-P腔,对发光谱产生强烈的调制,在较高强度激发下,在室温下带边峰分成三个峰,其中波长较短的两个发光峰表现出相同的特征,其发光机制可能为以In量子点为局域中心的局域化激子复合发光,而波长较长的发光峰,是一个超线性受激发光峰,其发光机制可能是电子-空穴等离子的散射。不同温度的PL谱表明两个主要的发光峰表现出不同的温度特征,利用F-P干涉理论分析可知,当温度高于120 K后样品折射率随着温度的升高而增大。; 竹有章陈光德谢伦军唐远河邱复生; 关键词：INGAN 光致发光受激辐射折射率

GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算: 2009年; 为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现GaN/AlN为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62eV,与实验值很接近.通过使用常用的平均键能法、平均势法和芯态法三种近似方法对GaN/AlN带阶的计算,比较得出,超原胞法虽然计算量较大,但能够给出异质结界面附近更为详细的信息,这一点其他三种近似方法无法得到,但他们也能够得出与实验值基本一致的带阶参量.; 宋佳明陈光德耶红刚竹有章伍叶龙; 关键词：第一性原理

MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究(英文)被引量：1: 2006年; 基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱。结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形貌呈现类花生状微结构团簇,纳米尺度较小的球状富铟InGaN颗粒附着在较大颗粒上;X射线衍射数据计算得微晶粒度折合当量直径约23nm。原子力显微测量得典型的微结构团簇横向宽度约400nm^900nm,表面粗糙度在所选择的6.43μm区域内方均根值为11.52nm,3.58μm区域内方均根值为8.48nm。在室温下用325nm连续激光激发测得样品的表面发光光谱,结果显示光致发光光谱出现多峰结构,其主要发光峰峰值波长分别位于569nm、532nm和497nm。理论计算分析认为发光光谱多峰结构可能是由于InGaN/GaN异质结构形成的F-P垂直腔中多光束干涉调制效应造成的,同时InGaN合金的尺度和组分涨落导致较宽的发光峰。研究结果对设计GaN基半导体光电子器件具有一定的参考价值。; 苑进社张淼竹有章; 关键词：表面形貌光致发光

GaN和p型GaN薄膜中声子模和缺陷模的变温喇曼散射(英文): 2005年; 研究了MOCVD生长的GaN及掺MgGaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺MgGaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺陷诱导的散射峰,而非电子散射和Mg的局域模.同时讨论了两个谱中E2和A1(LO)声子峰的频率和线形.在掺MgGaN样品中观察到应力松弛现象.; 王瑞敏陈光德Lin J YJang H X; 关键词：GAN P型GAN 喇曼散射缺陷模

GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究: GaN及其合金是一种新型的宽带隙半导体材料,近年来越来越引起人们的关注。目前对GaN材料在低温下散射特性的研究报道较少,低温拉曼散射谱中9550cm之间出现的一系列散射峰的产生机制存在着很大的争议。本文在78K温度下对G...; 王瑞敏陈光德; 文献传递

六方AlN本征缺陷的第一性原理研究被引量：17: 2007年; 用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深,要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助.; 耶红刚陈光德竹有章张俊武; 关键词：形成能态密度

氮化铝纳米线的气-固法制备及光学性能被引量：1: 2011年; 以三氯化铝和叠氮化钠为原料,用复分解反应制备单晶氮化铝(AlN)纳米线。样品呈灰白色粉末,反应温度为650℃,反应时间为3h,并对该样品进行X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射测试分析。结果表明:样品为六方相氮化铝且为表面光滑的长直形圆柱状,直径为50 nm左右,长度均在10μm以上,晶格常数分别为a=0.268nm、c=0.498nm。AlN样品性能的研究表明:样品禁带宽度约为6.14eV,并对光致发光谱中各峰的形成原因进行分析。采用气-固生长机理和择优取向原理对单晶纳米线的生长进行解释。; 崔静雅吕惠民程赛; 关键词：复分解反应光学性能

Synthesis of hexagonal monocrystal AlN microtubes and nanowires at low temperature被引量：4: 2007年; 吕惠民陈光德颜国君耶红刚; 关键词：单晶体粒子物理学

纳米六方相氮化铝的合成和光学性能研究被引量：9: 2006年; 报道了以AlCl3和Mg3N2为反应物,在500℃条件下,用简易的设备,合成六方相AlN纳米材料.样品的XRD和XPS图谱表明,实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN,其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度.TEM图表明,AlN样品呈多孔网络状结构,网络的骨架大小在10～20nm之间.对AlN样品的光学性能的研究表明,AlN样品的禁带宽度值约为6.12eV;红外吸收谱以680cm-1为中心形成一个很宽的红外吸收带;其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动.; 颜国君陈光德吕惠民; 关键词：光学性能

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