国家高技术研究发展计划(2002AA312080)
- 作品数：5 被引量：20H指数：4
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- 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析被引量：6
- 2005年
- 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的1·3μm量子点VCSEL结构.
- 佟存柱牛智川韩勤吴荣汉
- 关键词：垂直腔面发射激光器GAASVCSEL阈值特性腔内损耗光损耗
- 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器被引量：6
- 2006年
- 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·
- 韩勤彭红玲杜云倪海桥赵欢牛智川吴荣汉
- 关键词：探测器LT-GAAS
- 1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计被引量：4
- 2007年
- 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构.
- 彭红玲韩勤杨晓红牛智川
- 关键词：量子点垂直腔面发射激光器微分增益
- 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析被引量：4
- 2005年
- 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.
- 佟存柱韩勤彭红玲牛智川吴荣汉
- 关键词：垂直腔面发射激光器串联电阻阈值电流
- 1064nm RCE探测器光电响应特性分析被引量：1
- 2005年
- 对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器（PD）的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片，并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57％，谱线半宽6～7nm，峰值波长1059nm；而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30％，谱线半宽5nm，峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系，对两种结构器件的吸收进行了比较，发现虽然量子点探测器的吸收小，但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的I-V特性．
- 彭红玲章昊韩勤杨晓红杜云倪海桥佟存柱牛智川郑厚植吴荣汉
- 关键词：谐振腔增强型光电探测器量子点
