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郑州市科技攻关计划项目(5-82)

作品数：1 被引量：2H指数：1
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相关领域：化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构
  • 1篇陶瓷
  • 1篇子结构
  • 1篇耐磨
  • 1篇高温耐磨

机构

  • 1篇河南工业大学

作者

  • 1篇马秋花
  • 1篇田军辉
  • 1篇侯永改
  • 1篇王改民

传媒

  • 1篇陶瓷学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
立方C_3N_4陶瓷第一性原理的计算被引量：2
2011年
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C3N4不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性,而且具有较强的红外线穿透性,对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。
马秋花田军辉王改民侯永改
关键词：电子结构高温耐磨
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