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中国博士后科学基金(20090461331)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:张天红苏海桥祖小涛薛书文陈猛更多>>
相关机构:电子科技大学湛江师范学院更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇PROPER...
  • 1篇SEM
  • 1篇X-RAY_...
  • 1篇ZNS薄膜
  • 1篇EFFECT...
  • 1篇FILMS
  • 1篇ZNS
  • 1篇IMPLAN...

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇湛江师范学院

作者

  • 1篇袁兆林
  • 1篇陈猛
  • 1篇薛书文
  • 1篇祖小涛
  • 1篇苏海桥
  • 1篇张天红

传媒

  • 1篇湛江师范学院...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响被引量:2
2010年
采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.
张天红薛书文苏海桥袁兆林陈猛祖小涛
关键词:ZNS薄膜SEM光致发光退火
Effects of thermal annealing on the properties of N-implanted ZnS films
2014年
N-ion-implantation to a fluence of 1 × 1015 ions/cm^2 was performed on ZnS thin films deposited on glass substrates by using the vacuum evaporation method. The films were annealed in flowing nitrogen at 400 ℃-500 ℃ after N-ion-implantation to repair the ion-beam-induced structural destruction and electrically activate the dopants. Effects of ion-implantation and post-thermal annealing on ZnS films were investigated by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), optical transmittance, and electrical measurements. Results showed that the diffraction peaks and PL intensities were decreased by N-ion-implantation, but fully recovered by further annealing at 500 ℃. In this experiment, all films exhibited high resistivity due to the partial dopant activation under 500 ℃.
薛书文张军全军
共1页<1>
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