河北省教育厅科研基金(2009318)
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
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- 相关机构：河北工业大学天津职业技术师范大学天津理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信建筑科学交通运输工程更多>>
- 中子辐照剂量对直拉硅中VO退火行为的影响
- 2013年
- 本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷(A中心)的退火行为。实验发现,经200℃热处理后样品中均会出现V2O(840 cm-1)和VO2.(919.6 cm-1)的红外吸收峰;当退火温度升高到400至450℃之间,在低剂量辐照样品(SL)的红外吸收光谱中会有较强的VO2(889 cm-1)的吸收峰,而在高剂量辐照样品(SH)中则会有较强的V2O2(825 cm-1)和VO2.(919.6 cm-1)的吸收峰。分析认为,在低剂量辐照样品中VO主要是通过与Oi结合形成稳定的VO2而消失;而在高剂量辐照条件下VO则是通过相互结合形成V2O2或与Oi结合形成VO2.而消失。
- 杨帅邓晓冉徐建萍陈贵锋张辉
- 关键词：直拉硅中子辐照
- 快中子辐照硅中双空位的退火行为研究
- 2010年
- 本文利用傅立叶变换红外光谱技术（FTIR）及正电子湮没谱技术（PAS）对快中子辐照硅中的双空位（V2）的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心（VO）形成V3O复合体而消失.
- 杨帅邓晓冉徐建萍陈贵锋闫文博
- 关键词：辐照缺陷硅FTIR
- 快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
- 2010年
- 利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺陷密度增加。当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化。较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低。经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀。
- 马巧云陈贵锋马晓薇薛晶晶郝秋艳
- 关键词：快中子辐照直拉硅氧沉淀
- 快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷被引量：2
- 2013年
- 利用正电子湮没谱(PAS)及Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi)中辐照缺陷。研究发现,经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷VO及多空位型缺陷V2和V2O;经200～450℃热处理后,FTIR光谱中出现的720和919.6 cm–1红外吸收峰为单空位型缺陷,其正电子寿命与VO的寿命接近,约为290 ps;经450～600℃热处理后,随单空位型缺陷VO消失,V4型缺陷浓度迅速增加,600℃热处理后其浓度达到最大(相对浓度约为70%)。
- 杨帅徐建萍邓晓冉陈贵锋
- 关键词：直拉硅正电子湮没中子辐照
- 快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
- 2011年
- 研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大.
- 陈贵锋马晓薇吴建海马巧云薛晶晶郝秋艳
- 关键词：中子辐照电子辐照直拉硅氧沉淀
