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福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(XSJRC2007-16)

作品数:12 被引量:22H指数:3
相关作者:郑兴华汤德平肖娟黄旭林佳更多>>
相关机构:福州大学更多>>
发文基金:福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划福建省科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程冶金工程更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 5篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇介电
  • 7篇电性能
  • 7篇介电性
  • 7篇介电性能
  • 5篇陶瓷
  • 4篇介电常数
  • 4篇巨介电常数
  • 3篇BA
  • 2篇品质因数
  • 2篇微波陶瓷
  • 2篇温度系数
  • 2篇无机非金属
  • 2篇无机非金属材...
  • 2篇固相反应法
  • 2篇非金属材料
  • 2篇TA
  • 2篇BIFEO
  • 2篇BIFEO3
  • 2篇CACU3T...
  • 2篇X

机构

  • 12篇福州大学

作者

  • 12篇郑兴华
  • 11篇汤德平
  • 3篇黄旭
  • 3篇刘旭俐
  • 3篇林佳
  • 3篇肖娟
  • 2篇郑可炉
  • 2篇杨小炳
  • 2篇梁炳亮
  • 2篇刘馨
  • 2篇张程
  • 1篇李湘祁
  • 1篇高琳珊
  • 1篇马娜
  • 1篇梁柄亮
  • 1篇林芬
  • 1篇黄新华
  • 1篇尹灵峰
  • 1篇曾桂林
  • 1篇严容

传媒

  • 5篇硅酸盐通报
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇福州大学学报...
  • 1篇机械工程材料

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
BiVO_4对Ta改性Ba_3Ti_5Nb_6O_(28)陶瓷烧结和介电性能的影响
2010年
采用传统固相反应法制备了BiVO_4掺杂的Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷,研究了所制陶瓷的烧结性能、介电性能以及结构。BiVO_4的添加使Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷的烧结温度从1275℃显著降低到了900℃,介电常数及介电损耗略有提高。其中,掺杂有5.0%(质量分数)BiVO_4的Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷在950℃保温烧结3h后具有较好的微波介电性能:ε_r=31.5,Q·f=4338GHz,τf=36.2×10^(–6)/℃。
郑兴华林佳梁炳亮汤德平刘旭俐
关键词:无机非金属材料微波介质陶瓷介电性能LTCC
CCTO-电木复合材料的制备、结构和介电性能被引量:3
2012年
采用热压法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-电木复合材料,加入CCTO不但明显提高了电木的介电常数,而且显著地降低了其介电损耗。随CCTO含量增加,电阻率先变化甚少,而后急剧降低,到80 wt%CCTO时为107Ω.m。大量添加CCTO将阻碍聚合物的交联固化,气孔明显增多。综合考虑,添加50 wt%CCTO复合材料性能最好。
黄旭郑兴华汤德平杨小炳洪聪杰林芬
关键词:热压介电性能
Ba_3Ti_(5+x)Nb_(6-x)O_(28-x/2)陶瓷微波介电性能被引量:1
2009年
本文采用固相反应法制备了Ba3Ti5+xNb6-xO28-x/2系微波介质陶瓷。通过密度、XRD及SEM等探讨了烧结特性、物相组成、显微结构与其微波介电性能的关系。x<0.2时形成Ba3Ti5Nb6O28固溶体;0.2≤x时,则出现了Ba3Ti4Nb4O21第二相;x=1时,Ba3Ti4Nb4O21成为主相。获得了一些微波介电性能优异的Ba3Ti5+xNb6-xO28-x/2陶瓷,其微波介电性能如下:εr=37.7、Q×f=32420GHz、τf=25ppm/℃(x=0.05);εr=38.3、Q×f=28419GHz、τf=-12ppm/℃(x=0.1)。
林佳郑兴华梁炳亮汤德平
关键词:微波陶瓷品质因数
(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能
2009年
通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0~0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。
尹灵峰郑兴华梁柄亮汤德平黄爱玉
关键词:无机非金属材料固相反应法介电弛豫
CaCu_3Ti_4O_(12)多孔陶瓷的介电性能被引量:1
2013年
采用固相烧结法在较低温度(<1000℃)制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)多孔陶瓷。研究了淀粉对CCTO陶瓷的气孔率、显微结构、介电性能的影响。随淀粉含量的增加,CCTO陶瓷的气孔率从32.4%大幅度上升到淀粉含量为5%和10%时的41.3%和48.6%;阻抗明显增大,介电常数和介电损耗明显降低。通过这些结构和性能的变化,分析讨论了CCTO的巨介电机理。
杨小炳黄旭郑兴华汤德平黄新华
关键词:多孔陶瓷介电性能
熔盐法快速合成BiFeO_3粉体被引量:4
2013年
以Bi2O3和Fe2O3为铋源和铁源,采用NaNO3和KNO3复合熔盐法快速合成BiFeO3粉体。研究了熔盐温度、熔盐比例、保温时间和冷却速率对合成粉体物相演变的影响,探讨了复合熔盐法合成BiFeO3的形成过程。熔盐温度为500℃时,Bi2O3和Fe2O3间开始反应生成Bi25FeO40相;熔盐温度升高到600℃时,开始生成少量BiFeO3;熔盐温度继续提高到650℃与700℃时,几乎都形成纯相BiFeO3,但仍有微量Bi25FeO40和Bi2Fe4O9相。淬火抑制BiFeO3的分解,系统研究后发现:当熔盐比为5∶1时,700℃保温10 min后淬火合成粉体几乎为纯相BiFeO3。
高琳珊马志洪陈培津郑兴华汤德平
关键词:BIFEO3熔盐法淬火
(1-x)Sr_(1.85)Ca_(0.15)NaNb_5O_(15)-xBiFeO_3陶瓷的显微结构及烧结、介电性能被引量:2
2012年
采用固相反应法制备了钨青铜结构的(1-x)Sr1.85Ca0.15NaNb5O15-xBiFeO3(SCNN-BFO)陶瓷,研究了BFO含量对该陶瓷显微结构、烧结和介电性能的影响。结果表明:当x≥0.1时,使陶瓷具有最大密度的烧结温度从1 350℃降低到了1 250℃,并且抑制了烧结开裂问题;当x=0.2时,陶瓷中出现了Sr2(FeNb)O6和Bi1.34Fe0.66Nb1.34O6.35杂质相,且二者的含量随BFO含量的增加而增加;x=0.6时,Bi1.34Fe0.66Nb1.34O6.35成为主晶相;x<0.1时,陶瓷的介电常数和介电损耗均较低;随BFO含量的增加,低频介电常数显著增大,介电损耗出现峰值后减小。
马娜郑兴华汤德平
关键词:钨青铜结构铁酸铋烧结性能介电性能
Ba_3Ti_5Nb_(6-x)TaxO_(28)陶瓷的结构与介电性能被引量:1
2009年
采用传统的固相合成法制备Ba3Ti5Nb6-xTaxO28(0≤x≤0.67)微波介质陶瓷,研究了Ta对Ba3Ti5Nb6O28陶瓷结构与微波介电性能的影响.随Ta含量的增加,Ba3Ti5Nb6-xTaxO28陶瓷先为Ba3Ti5Nb6O28单相;当x增大到0.5时,则出现了第二相Ba3Ti4Nb4O21.随Ta含量增加,Ba3Ti5Nb6-xTaxO28陶瓷的介电常数变化较小,Qf值先明显升高后下降,而谐振频率温度系数τf逐渐增大.x=0.16时,获得了介电性能优异的Ba3Ti5Nb6-xTaxO28陶瓷,介电性能为:ε=37.9,Qf=2.8137×104GHz,τf=-6.0×10-6℃-1.
林佳郑兴华黄志强汤德平李湘祁刘旭俐
关键词:微波陶瓷品质因数温度系数TA
BiFeO_3掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构和介电性能的影响被引量:1
2010年
采用固相反应法制备了BiFeO3掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对CCTO陶瓷的烧结性能、晶体结构和介电性能的影响。结果表明,BiFeO3掺杂改善了CCTO陶瓷的烧结性能。随BiFeO3掺杂量的增加,CCTO陶瓷的晶格常数和εr均先增大而后减小;而tanδ先几乎不变而后增大。当x(BiFeO3)为0.5%,1040℃烧结的CCTO陶瓷样品在1kHz时具有巨介电常数(εr=14559)和较低的介质损耗(tanδ=0.12)。
郑兴华刘馨汤德平刘旭俐郑可炉
关键词:CACU3TI4O12BIFEO3巨介电常数固相反应法
CCTO/Cu巨介电陶瓷被引量:2
2010年
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O。CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相。但是,当Cu添加量达到3wt%时,层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀。CCTO/Cu陶瓷均具有巨介电常数(>104,1kHz)和较低的损耗(~10-1)。CCTO/Cu陶瓷的巨介电常数与其半导体部分密切相关。相对于CCTO陶瓷,CCTO/Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性。
郑兴华肖娟严容黄旭郑可炉
关键词:巨介电常数烧结温度
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