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生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量：5: 2010年; 利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。; 李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振; 关键词：氧化锌分子束外延电致发光

空气中氧化锌基可循环使用光催化剂（英文）: 2017年; 采用水热方法在蓝宝石衬底上制备出垂直衬底生长的氧化锌纳米柱阵列。分别通过扫描电镜、X射线衍射和光致发光光谱等表征了氧化锌纳米柱阵列的形貌、结构和光学性质。这种纳米柱在空气中对甲基紫显示出良好的光催化性能。空气中的氧气和水蒸气对光降解性能有重要的影响。这种纳米柱对于固态污染物的光降解处理有着潜在的应用前景,是一种高效、可循环使用的光催化剂。; 余冰冰徐志堃王飞王云鹏赵东旭; 关键词：氧化锌光催化剂

Fe掺杂对CdS光学特性的影响被引量：4: 2008年; 采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。; 武晓杰张吉英张振中申德振刘可为李炳辉吕有明李炳生赵东旭姚斌范希武

垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文)被引量：1: 2011年; 通过水热的方法以退火0.5h的ZnO薄膜作为籽晶,得到垂直的ZnO纳米线。在X射线衍射谱中,除了Si的(400)衍射峰以外,只观察到了ZnO的(002)衍射峰。室温光致发光谱中出现了强的紫外发射峰,同时也伴随着弱的缺陷相关的发射。这些数据表明垂直的ZnO纳米线序列有着较好的晶体质量。同时,通过光泵浦也观察到了ZnO纳米线中的激光发射。当激发功率密度超过阈值且进一步增加时,出现了多模发射峰,其积分强度随着激发功率密度的增大呈非线性的增长,并且在96kW·cm^(-2)处能清晰地观察到从自发发射到激射的转变。; 郭振Andreazza-Vignolle CarolineAndreazza Pascal赵东旭刘益春张立功李炳辉张振中申德振; 关键词：激光 ZNO

铟磷共掺杂p型氧化锌薄膜形成机理和性质(英文)被引量：2: 2009年; 利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO:In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶,掺杂质量分数分别为1.5%和0.3%,溅射气体为Ar和O2的混合气体。原生ZnO薄膜是绝缘的, 600℃退火5 min后导电类型为n型,而800℃退火5 min后为p型。p型ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为12.4Ω.cm, 1.6×1017cm-3和3.29 cm2.V-1.s-1。X射线衍射测量结果表明所有样品都只有(002)衍射峰,并与相同条件下生长的未掺杂ZnO相比向大角度方向偏移,意味着In和P都占据Zn位。XPS测试结果表明在共掺ZnO薄膜中P不是取代O而是取代Zn。因此,铟磷共掺ZnO薄膜中,In和P都取代Zn,并且PZn与2个锌空位(VZn)形成PZn-2VZn复合受主,薄膜表现为p型。; 陈足红姚斌郑昌佶杨通赵婷婷单崇新张振中李炳辉张吉英申德振; 关键词：氧化锌共掺射频磁控溅射 XPS

用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器被引量：9: 2008年; 考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。; 张吉英蒋大勇鞠振刚申德振姚斌范希武; 关键词：射频磁控溅射

电化学方法生长有序纳米柱阵列的发光性质(英文): 2008年; 采用电化学方法在磁控溅射方法生长的ZnO薄膜上生长垂直于衬底排列的ZnO纳米柱。ZnO薄膜的作用主要是为ZnO纳米柱的生长提供同质外延层。电化学生长的ZnO纳米柱具有良好的晶体质量和发光性能。通过研究其变温发光光谱可以确定其紫外发光峰来自于带边激子的辐射复合。此种方法生长的ZnO纳米柱在场发射显示、蓝紫色和白光发光二极管方面有潜在的应用前景。; 刘枫李金华; 关键词：ZNO 磁控溅射电化学生长光致发光

Effect of Mg content on the structural and optical properties of Mg_xZn_(1-x)O alloys被引量：1: 2010年; Mgx Zn1–x O thin films with x = 0, 0.11, 0.28, 0.44, 0.51, and 0.65 were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) sapphire substrates. X-ray diffraction measurement reveals that phase separation of the Mgx Zn1–x O films occurred at x =0.44 and 0.51. Optical absorption spectra show that the absorption edges of the films shift to high-energy side with increasing Mg contents. In resonant Raman spectra, multiple-order Raman peaks originating from ZnO-like longitudinal optical phonons were observed. Moreover, the blue shift and the full width at half maximum of Raman scattering peaks increase continuously with x increasing from 0 to 0.28, which indicates that Zn is substituted by Mg in hexagonal lattice.; WU ChunXiaLU YouMingSHEN DeZhenFAN XiWu; 关键词：晶体薄膜光学性质镁法共振拉曼光谱

Fe掺杂ZnO纳米薄膜的光致发光(英文)被引量：8: 2006年; 采用溶胶-凝胶法制备了Zn1 -xFexO (x=0.01, 0.05, 0.10)纳米薄膜。X射线衍射谱显示所有样品均具有六角纤锌矿结构。而且在X射线衍射谱中没有发现其他相存在。研究了在不同的溶液浓度、退火温度和Fe浓度下制备的掺杂ZnO薄膜的光致发光谱。结果表明,热退火提高了样品的光学质量。溶液浓度为0.1 mol/L,且Fe含量较低的条件下,样品的光学质量有所提高。; 李金华张吉英赵东旭张振中吕有明申德振范希武; 关键词：FE ZNO X射线衍射光致发光

P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制被引量：4: 2008年; 利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的p型ZnO薄膜。通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性。对载流子浓度拟合的结果表明氮受主具有75meV的能级深度。通过对各种散射机制下迁移率的讨论,发现由晶粒及其晶界组成的这种结构极大地降低了p型ZnO中载流子的迁移率。; 孙建武吕有明刘益春申德振张振中李炳辉张吉英姚斌赵东旭范希武; 关键词：氧化锌 P型掺杂散射机制

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