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国家自然科学基金(51103034)

作品数:4 被引量:13H指数:3
相关作者:林广庆张俊吕国强熊贤风冯翔更多>>
相关机构:合肥工业大学教育部更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇有机薄膜晶体...
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体管
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管
  • 3篇修饰
  • 3篇表面修饰
  • 2篇电性能
  • 2篇喷墨
  • 2篇喷墨打印
  • 2篇噻吩
  • 2篇聚噻吩
  • 2篇分子
  • 2篇并五苯
  • 2篇高性能
  • 1篇单分子
  • 1篇单分子层
  • 1篇胆甾相
  • 1篇胆甾相液晶
  • 1篇形貌

机构

  • 7篇合肥工业大学
  • 1篇教育部

作者

  • 5篇邱龙臻
  • 4篇林广庆
  • 3篇张俊
  • 2篇熊贤风
  • 2篇吕国强
  • 2篇李鹏
  • 2篇冯翔
  • 1篇张贵玉
  • 1篇陈梦婕
  • 1篇王向华
  • 1篇李鹏
  • 1篇冯奇斌
  • 1篇王明晖
  • 1篇陆红波
  • 1篇李曼菲
  • 1篇牛红林
  • 1篇鲁文武

传媒

  • 2篇液晶与显示
  • 1篇发光学报
  • 1篇光电工程

年份

  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
去润湿图案化制备TIPS-并五苯有机薄膜晶体管
2013年
利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs)。金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大。在1 000~2 000r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3 000r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小。电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率,发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能。1 000r/min转速下制备OTFT器件最大场效应迁移率为5.16×10-2 cm·V-1·s-1,电流开关比为8×103。
冯翔林广庆张俊李曼菲邱龙臻
关键词:有机薄膜晶体管电性能
基于聚(4-乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的小分子有机半导体薄膜制备和表征被引量:5
2014年
采用旋涂法预先在SiO2衬底表面形成一层聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机半导体薄膜的形貌。采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器件。作为对比,在未经过表面修饰的SiO2衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过PVP修饰的SiO2衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT器件具有更高的场效应迁移率。在有PVP修饰层的衬底上制作的OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm2·V-1·s-1;而直接在SiO2衬底上制作的器件,相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm2·V-1·s-1。
熊贤风元淼林广庆王向华吕国强
关键词:有机半导体有机薄膜晶体管喷墨打印表面修饰
快速响应光阀的制备及在真三维立体显示中的应用被引量:3
2012年
固态体积式真三维立体显示系统主要由数据传输,图像处理模块,高速彩色投影光路模块,显示模块(显示体)以及外围控制电路组成。显示模块由多层液晶光阀组成,光线透过显示体后能量衰减严重,造成显示画面黯淡,模糊,此外,由于光阀响应时间慢,系统刷新频率低,屏幕存在严重的闪烁问题。本文通过在液晶中添加少量聚合物和手性物添加剂制备出快速响应的聚合物稳定胆甾相液晶光阀,其开态透过率达到88%,响应时间小于1ms。将其应用于真三维立体显示系统,显示画面清晰稳定,无闪烁。
牛红林陆红波鲁文武张贵玉张俊冯奇斌
聚噻吩复合材料有机薄膜晶体管
<正>有机薄膜晶体管具有低成本、柔性、易溶液加工、可大面积制备等优点,在有源矩阵显示、传感器、电子纸和柔性的微电子产品等领域具有潜在应用前景。本文侧重介绍近年来我们在聚噻吩复合材料有机薄膜晶体管方面的工作。聚噻吩由于具有...
邱龙臻
关键词:有机薄膜晶体管聚噻吩复合材料
文献传递
表面修饰聚合物绝缘层制备高性能柔性薄膜晶体管
<正>分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显...
林广庆李鹏邱龙臻
关键词:并五苯聚苯乙烯
文献传递
表面修饰制备高性能薄膜晶体管被引量:6
2013年
应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管。原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响。在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200~400nm。大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能。表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过106,最大场效应迁移率约可达1.23cm2.V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8cm2.V-1·s-1。
林广庆李鹏王明晖冯翔张俊熊贤风邱龙臻吕国强
关键词:有机薄膜晶体管电性能
表面修饰对喷墨打印聚噻吩薄膜形貌及场效应性能的影响
<正>用喷墨打印的方法制备了底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFTs)。发现基底的表面性能对墨滴形貌与晶体管器件性能影响很大。在喷墨打印中,绝缘层衬底的选择对形成均一的半导体膜至关重要,同时能显著的改善器件的电学性能。...
李鹏陈梦婕邱龙臻
关键词:喷墨打印有机薄膜晶体管自组装单分子层
文献传递
共1页<1>
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