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陕西省教育厅科研计划项目(2010JK586)

作品数:5 被引量:32H指数:4
相关作者:潘永强杭凌侠黄国俊白涛更多>>
相关机构:西安工业大学更多>>
发文基金:陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学

主题

  • 3篇光学
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇非晶硅
  • 2篇非晶硅薄膜
  • 1篇氧化钛薄膜
  • 1篇应力
  • 1篇太阳模拟
  • 1篇太阳模拟器
  • 1篇填充密度
  • 1篇匹配度
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束辅助
  • 1篇离子束辅助沉...
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇光谱
  • 1篇光学常数
  • 1篇光学特性
  • 1篇红外
  • 1篇红外光

机构

  • 5篇西安工业大学

作者

  • 5篇潘永强
  • 3篇黄国俊
  • 3篇杭凌侠
  • 1篇白涛

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇中国激光
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇西安工业大学...

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
光伏电池组件太阳模拟器AM1.5滤光片的研究被引量:8
2012年
通过将标准大气光谱与大功率圆弧形氙灯光谱的比较,获得了AM1.5型太阳能模拟器滤光片的透射率光谱曲线。通过膜系设计和镀制,研制出了中心波长为930 nm的负滤光片,该滤光片在930 nm处的透射率T=15%,400~750 nm波段内的平均透射率Ta≥93%,1200~1400 nm内平均透射率Ta≥91%。将6片相同的滤光片安装在测试面为1 200 mm×2 000 mm的脉冲式光伏组件太阳模拟器上进行测试,在氙灯的正上方,其光谱匹配度在0.91~1.05之间,达到了A类滤光片要求;而在离圆弧氙灯最远的位置2处,测试的光谱匹配度在0.73~1.06之间,达不到A类滤光片要求。最后,通过采用滤光片的优化组合拼接技术,使光伏电池组件模拟器测试面上所有点的光谱匹配度均达到了A类要求。
潘永强白涛杭凌侠
斜角入射沉积TiO_2薄膜的光学特性和表面粗糙度被引量:11
2011年
采用电子束热蒸发技术在K9玻璃基底上以不同的沉积入射角沉积了单层TiO2薄膜,研究了不同入射沉积角沉积的TiO2薄膜的光学特性、填充密度和表面粗糙度,并比较了不同膜层厚度下薄膜表面粗糙度与入射沉积角之间的关系。研究结果表明,随着入射沉积角的增加,TiO2薄膜的透射率增加,透射峰值向短波移动,薄膜的填充密度从入射沉积角0°时的0.801降低到入射沉积角为75°时的0.341;薄膜的表面粗糙度随着入射沉积角的增加而增加,当入射沉积角为75°时,薄膜的表面粗糙度略高于基底的表面粗糙度。在沉积入射角不变时,随着膜层厚度的增加,膜层的表面粗糙度降低。
潘永强杭凌侠
关键词:二氧化钛薄膜光学特性表面粗糙度填充密度
离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究被引量:3
2011年
为了得到非晶硅(a-Si)薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数的影响.实验结果表明:影响a-Si薄膜光学常数的主要工艺因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小.当沉积速率和基底温度升高时,薄膜的折射率先增大后减小;当工作真空度升高时,薄膜的折射率增大.在波长1~5μm之间,a-Si薄膜的折射率变化范围为2.47~3.28.
潘永强黄国俊
关键词:非晶硅薄膜电子束蒸发离子束辅助沉积
电子束热蒸发非晶硅薄膜红外光学特性被引量:5
2011年
采用Ar+离子束辅助电子柬热蒸发技术制备非晶硅(a-Si)薄膜,利用正交实验研究了薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系。采用椭偏仪和分光光度计分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对非晶硅薄膜的折射率和消光系数的影响。实验结果表明:影响a-Si薄膜光学特性的主要因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小。随着沉积速率和烘烤温度的升高,a-Si薄膜的折射率先增大后减小;工作真空度越高,薄膜的折射率越大。a—Si薄膜在波长1~5μm之间,折射率变化范围为2.65~3.38。当沉积速率为0.6nm/s、基底温为120oC、工作真空度是1.0×10吨Pa时,获得的a—Si薄膜的光学特性比较好,在3μm处薄膜的折射率为2.87,消光系数仅为1.67×10^-5。
潘永强黄国俊
关键词:非晶硅薄膜电子束蒸发
锗掺杂类金刚石薄膜特性研究被引量:6
2012年
为了降低类金刚石(DIE)薄膜的应力,使用脉冲真空电弧离子镀(PVAD)和电子束热蒸发相结合的复合沉积技术,在Si基底上制备了一系列不同锗含量(原子百分比)的Ge-DIE薄膜样片,研究了锗含量对DIE薄膜光学特性和力学特性的影响。研究结果表明:在1-5肿波段,当锗掺杂含量小于25%时,对DIE薄膜光学常数的影响不大;随着Ge含量的增加,DIE薄膜的折射率和消光系数都略微增大。随着DLC薄膜中ce含量的增加,薄膜的内应力和硬度均有所降低。当DLC薄膜中Ge含量约为8%时,Ge-DLC薄膜的内应力从6.3降至3.0GPa,而硬度仅从3875减小为3640kgf/mm2,几乎保持不变。硅基底上单面沉积Ge的含量为8%的DIE薄膜在红外3-5ban波段的透过率峰值约为63.15%。
潘永强黄国俊杭凌侠
关键词:光学常数应力
共1页<1>
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