广东省科技攻关计划(2006A11003001)
- 作品数：2 被引量：34H指数：2
- 相关作者：卢振亚张兆生陈志武黄欢吴建青更多>>
- 相关机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：广东省科技攻关计划广州市科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 电子封装用陶瓷基片材料的研究进展被引量：32
- 2008年
- 简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AlN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料。介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点。
- 张兆生卢振亚陈志武
- 关键词：电子封装陶瓷基片流延
- SnO_2-Sb_2O_3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性被引量：2
- 2009年
- 实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压V1mA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,φ14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流.
- 卢振亚黄欢吴建青
- 关键词：致密化耐电流冲击特性
