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GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究被引量：3: 2009年; 利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明:外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度,从而对样品质量作出详细的分析.; 李超李雪许金通李向阳; 关键词：GAN 透射光谱光散射消光系数

高精度紫外探测器定标测试方法被引量：5: 2010年; 文章研究分析了紫外电学定标探测器的主要光电不等效因素,并建立了基于紫外电学定标探测器的紫外辐射定标系统。在此基础上,利用紫外探测器定标测试平台,开展了紫外探测器的测试方法研究,响应率定标的总不确定度为3%～5%,相对光谱测试的总不确定度为3%。; 邵秀梅陈郁陈新禹; 关键词：紫外探测器辐射定标单色仪辐射计

GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件被引量：8: 2009年; 介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的多层A1GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺，制作了256×1的背照射AlGaN紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试，得到芯片的暗电流Id为4．22×10^-12A、零压电阻风为1．01×10^10Ω，响应波段为305～365nm，响应率约为0．12A／W。该AlGaN探测芯片与电容反馈互阻抗放大器（CTIA）结构的读出电路互连成为一个256模块，两个256模块经过拼接、封装后制备出512×1元紫外长线列焦平面探测器组件。测量室温（300K）时焦平面组件（实际524元）的响应，平均电压响应率为1．8×10^8V／w，其盲元率为9．0％，响应不均匀性为17．8％，359nm处的平均波段探测率为7×10^10cmHz^1/2W^-1。并对器件性能进行了分析。; 张燕储开慧邵秀梅袁永刚刘大福陈新禹李向阳; 关键词：紫外探测器

基于弛豫铁电单晶的热释电焦平面研究: 随着非制冷焦平面技术的迅速发展,热释电焦平面的研究也引起了人们广泛关注。热释电探测器在紫外、可见、红外波段具有平坦的光谱响应,同时具有无需制冷、功耗低、结构紧凑、稳定可靠、成本低等优点,具有广阔的发展前景。PMN-PT是...; 邵秀梅马学亮于月华方家熊; 关键词：焦平面热释电非制冷; 文献传递

紫外DPS中DA控制器的NiosⅡ-IP核设计与实现: 2010年; 详细介绍了GaN基紫外数字像素探测器(DPS)多通道位串行(MCBS)实现方案中共用DAC设备控制器的自定义IP核的设计和功能实现。文中采用基于嵌入式软核NiosⅡ处理器可编程片上系统(SOPC)设计方法,通过对以12位数模转换芯片TLV5639为控制对象的IP核的仿真和测试,验证了设计的正确性。实验结果表明设计符合性能要求,基于SOPC的IP核设计方法具有较强实用性和通用性。; 张文静包西昌王玲袁永刚李向阳; 关键词：可编程片上系统 AVALON总线

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国家自然科学基金(60708028)