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国家自然科学基金(60708027)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：李向阳储开慧许金通张文静更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电容特性
  • 1篇电压特性
  • 1篇英文
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基器件
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN基材料

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张文静
  • 1篇许金通
  • 1篇储开慧
  • 1篇李向阳

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文)被引量：1
2010年
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用.
储开慧张文静许金通李向阳
关键词：电容-电压特性肖特基器件GAN基材料
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