国家高技术研究发展计划(2003AA1Z1630)
- 作品数：33 被引量：97H指数：6
- 相关作者：郝跃王俊平李康马晓华曹艳荣更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学中芯国际集成电路制造有限公司陕西教育学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种改进的方向扩散方程滤波方法被引量：4
- 2008年
- 利用方向扩散方程去噪时,噪声滤除的同时边缘也很快模糊了。基于这一缺陷,本文用各向异性扩散算子代替了方向扩散方程第一项中的拉普拉斯算子,并在方程的两个扩散项前加上了不同的扩散系数,以保证算法既能快速扩散去除噪声,又能较好保留边缘。而且,当新模型中的初始逼近图像退化为常数时,本文模型就退化为Perona-Malik扩散方程,因此Perona-Malik扩散方程是本文新模型的一个特例。实验结果和客观数据分析均表明本文算法在保留边缘方面具有明显的效果。
- 孙晓丽冯象初宋国乡
- 关键词：图像去噪各向异性扩散拉普拉斯算子
- 一种基于编码的低硬件开销的测试数据压缩方法(英文)被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新的测试数据压缩/解压缩的算法,称为混合游程编码,它充分考虑了测试数据的压缩率、相应硬件解码电路的开销以及总的测试时间.该算法是基于变长-变长的编码方式,即把不同游程长度的字串映射成不同长度的代码字,可以得到一个很好的压缩率.同时为了进一步提高压缩率,还提出了一种不确定位填充方法和测试向量的排序算法,在编码压缩前对测试数据进行相应的预处理.另外,混合游程编码的研究过程中充分考虑到了硬件解码电路的设计,可以使硬件开销尽可能小,并减少总的测试时间.最后,ISCAS 89 benchmark电路的实验结果证明了所提算法的有效性.
- 方建平郝跃刘红侠李康
- 关键词：测试数据压缩SOC测试
- GaN薄膜表面缺陷密度的提取
- 2006年
- 在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像;然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。
- 王俊平任春丽冯倩张会宁郝跃
- 关键词：二值化数学形态学
- IC缺陷轮廓多分形特征研究被引量：3
- 2007年
- IC真实缺陷轮廓曲线的形状特征对集成电路成品率预报及故障分析有重要影响。该文提出缺陷轮廓曲线具有多分形特征,以某一真实缺陷为例,用小波变换模极大(WTMM)的方法估计了其轮廓曲线参数方程的多分形谱,该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益探索。
- 孙晓丽郝跃宋国乡
- 基于LS空间的IC真实缺陷图像的分割被引量：4
- 2005年
- 在对集成电路(IC)真实缺陷进行分类与识别时,IC缺陷图像分割是非常重要的一步.本文提出一种新的IC缺陷图像分割方法.该方法首先将IC缺陷图像由RGB空间转换到HLS空间,然后根据IC缺陷图像背景像素的L及S值的分布,设计LS空间上的分段线性判别函数及聚类准则,最后由聚类准则完成IC真实缺陷图像的分割.实验结果表明,本文方法不仅可分割背景一致的IC图像,而且对背景不一致的图像也可获得满意的分割效果.从而为真实缺陷的分类与识别奠定了可靠基础.
- 王俊平郝跃
- 关键词：图像分割明度饱和度
- 方向扩散方程与小波变换的相关性研究被引量：4
- 2008年
- 方向扩散方程是一种有方向性的扩散,本文基于这一特点,对方向扩散方程与小波分解和重构的相关性作了研究。首先,用小波分解后下层的低频图像作为对上层低频图像的一个初始近似,验证了由上层低频图像经方向扩散方程可逐渐扩散收敛到下层的低频图像;反过来,由下层低频图像经方向扩散方程亦可逐渐扩散恢复到上层低频图像,这正体现了小波分解与重构的渐变过程。因此,由方向扩散方程的迭代扩散可以实现小波变换在相邻两层间的分解与重构,且随着所选扩散时间间隔的减小,可以在越来越细的尺度上观察相邻两层间小波分解与重构的渐变过程。
- 孙晓丽冯象初宋国乡
- 关键词：小波变换偏微分方程
- IC真实缺陷的骨架提取方法被引量：2
- 2005年
- 在集成电路制造中,光刻工艺(尤其是工艺引入的缺陷)直接影响生产的成品率.光刻工艺涉及的缺陷形状多种多样,提取缺陷并将之分类对于提高电路制造成品率是重要的.由于缺陷的骨架是描述缺陷形状及识别缺陷的重要特征,故提出一种集成电路真实缺陷骨架的提取方法,通过定义LS空间的特征值聚类分割集成电路彩色图像,使用小波分解分割集成电路灰度图像,然后基于数学形态学方法滤除分割图像的噪音并提取出缺陷的骨架.实验结果表明该方法使集成电路真实缺陷形状描述简单,从而为缺陷检测与分类提供了准确的依据.
- 王俊平郝跃荆明娥
- 考虑缺陷形状分布的IC成品率模型被引量：5
- 2005年
- 实现了基于圆缺陷模型的蒙特卡洛关键面积及成品率估计,模拟了圆缺陷模型估计的成品率误差与缺陷的矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷.仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径.
- 王俊平郝跃
- 关键词：成品率模型
- Hot-carrier degradation for 90 nm gate length LDD- NMOSFET with ultra-thin gate oxide under low gate voltage stress
- 2007年
- 陈海峰郝跃马晓华李康倪金玉
- 关键词：轻掺杂漏NMOSFET漏电流
- 深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法被引量：1
- 2005年
- 研究了深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.
- 李康郝跃刘红侠方建平薛鸿民
- 关键词：HCIBSIM3V3
