模拟集成电路重点实验室基金
- 作品数：88 被引量：176H指数：6
- 相关作者：陈鑫张颖罗萍杨虹胡辉勇更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所重庆邮电大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析被引量：5
- 2019年
- 本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段.
- 赵金宇杨剑群董磊李兴冀
- 关键词：双极型晶体管氢气电离辐射低剂量率辐射损伤增强效应
- 基于Toffoli门族的可逆二进制加/减法器被引量：1
- 2017年
- 以Toffoli门族为基础,采用ESOP综合方法设计了一种4位可逆二进制加/减法器。引入了"共享控制位提取"的优化方法,并提出一种"传输线复用"的新思路,对可逆电路进行了优化。利用Quartus II软件进行了电路仿真,结果表明,该加/减法器的性能指标达到设计目标。该电路的量子代价、辅助输入、垃圾输出等性能指标均有较大程度的优化。
- 杨虹黄亚男李儒章庞宇
- 关键词：加法器减法器II
- 相位域ADC偏移误差检测及补偿技术
- 2021年
- 相位域模数转换器(Ph⁃ADC)利用正交IQ通道来提取相位信息,但IQ通道偏移误差会导致系统误码率(BER)升高。针对以上问题提出一种基于帧采样的同相正交(I/Q)偏移误差提取方法,并采用梯形积分法进行补偿。相关传统方法,该方法可以节省因内存访问,数据延迟以及系统对每个样本中断响应而浪费的时间。通过建立π/4 DQPSK解调,6⁃bit Ph⁃ADC,E N0为12 dB的数字调制系统来验证所提出相位域ADC偏移误差检测及补偿技术,仿真结果表明,当输入信号频率为450 kHzb,/I/Q偏移误差为10%时,系统的信号噪声畸变比(SNDR)由7.02提高到37.22 dB,系统的无杂散动态范围(SFDR)由17.37提高到38.74 dB,ENOB由1.03提升为5.89,校准后该方法可以使系统BER降低到10-5数量级,使误差矢量幅度(EVM)小于15 dB。
- 陈佳鑫陈红梅王学锐尹勇生
- 关键词：误码率EVM
- 基于泰勒展式的量化与反量化硬件设计
- 2014年
- 介绍了一种新的基于泰勒展式的量化与反量化硬件实现方法。该方法可广泛应用于多种音频的编解码系统,如MP3,AAC等。通过优化的方法,不仅能减少量化与反量化中数据存储区的大小,增加系数的准确性,还能减少计算系数时所需的运算量。与已有算法相比,在浮点运算下,新方法的性能得到显著提升。同时,给出了定点运算结果。实际测试结果表明,新方法有效提升了系统性能。该方法的算法还可用于伽玛校正。
- 向洵陈世钗刘凡
- 关键词：泰勒展式硬件设计反量化
- 多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究被引量：3
- 2018年
- 为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,I_B有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。
- 陈光炳张培健谭开洲
- 关键词：多晶硅发射极
- 一种带瞬态增强电路的无电容型LDO被引量：2
- 2012年
- 设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。
- 李江昆杨汝辉杨康祝晓辉甄少伟罗萍
- 一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路被引量：1
- 2012年
- 提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT)。分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路。电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点。
- 庞振洋王曾甄少伟罗萍
- 关键词：BCD工艺
- 单片直接数字频率合成器产品发展综述被引量：6
- 2015年
- 综合论述了单片直接数字频率合成器(DDS)产品的现状、应用范围以及发展趋势。以目前国际上单片DDS产品公开发布的产品介绍资料为基础,根据DDS产品的性能和功能进行统计和分析,得到关于DDS产品的一些有用的结论。以DDS的不同功能特点为依据,分别介绍了其在不同领域的应用情况,最后给出单片DDS产品的发展趋势预测。
- 张俊安李广军张瑞涛杨毓军付东兵
- 关键词：直接数字频率合成器
- 一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源被引量：5
- 2017年
- 在传统带隙基准电路的基础上,设计了一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源。利用亚阈值区MOS管的漏电流与栅-源电压呈指数关系而产生的非线性补偿电流,分别对温度特性曲线的低温段和高温段进行补偿。该电路采用0.18μm标准CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,输出基准电压为600mV,在-40℃~125℃温度范围内的温度系数为9.4×10^(-7)/℃。
- 顾宇晴李婷王小力
- 关键词：带隙基准曲率补偿温度系数
- 具有双陷波特性的超宽带带通滤波器被引量：6
- 2018年
- 采用修改的多模谐振器(MMR)结构,通过输入输出端开槽形成交叉耦合,实现了一种结构紧凑的超宽带(UWB)带通滤波器。修改的多模谐振器在通带中能产生两个奇模、三个偶模,加载的阶跃阻抗开路枝节在通带的两边产生两个传输零点,提高了边缘选择性。同时在滤波器下方耦合双模阶跃阻抗谐振器形成具有双陷波特性超宽带带通滤波器,利用HFSS13.0验证。结果表明:该滤波器通带在2.61~11.21 GHz,其陷波频率分别发生在5.61,7.81 GHz,能有效抑制WLAN和X频段卫星通信系统对超宽带通信系统的影响,可适用于超宽带无线通信系统。
- 杨虹丁孝伦彭洪陈思良
- 关键词：带通滤波器HFSS
