广东省自然科学基金(8521063101000007)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：章勇陈献文何苗范广涵牛巧利更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性被引量：3
- 2011年
- 为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.
- 陈献文吴乾李述体郑树文何苗范广涵章勇
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱双波长发光二极管金属有机化学气相沉积
- 金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究
- 2011年
- 利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜。研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析。结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱。优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10%。
- 黄园媛石培培牛巧利章勇
- 关键词：金属诱导晶化非晶硅薄膜
- 退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：4
- 2012年
- 利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。
- 闫其昂石培培严启荣牛巧利章勇
- 关键词：电子束蒸发退火温度
- Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究被引量：2
- 2010年
- 以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。
- 何安和何苗朱学绘陈献文范广涵章勇
- 关键词：发光二极管(LED)ICP刻蚀出光效率
