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无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长(英文): 2008年; 采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1-10μm不同间隔,沟槽之间距离为1-10μm不同间隔.对于在不同的沟槽和台面尺寸区域3C-SiC的生长进行了详细研究.采用扫描电镜分别观察了不同区域的生长形貌,分析了图形衬底结构上SiC的生长行为.其中合并生长形成的空气隙结构可以释放由Si和SiC晶格失配引起的应力,从而可以用来解决SiC生长中的晶片翘曲问题,进行厚膜生长.XRD结果表明此无掩模硅图形衬底上得到3C-SiC（111）取向生长.; 赵永梅孙国胜宁瑾刘兴昉赵万顺王雷李晋闽; 关键词：3C-SIC LPCVD 图形衬底

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国家自然科学基金(0713170000)