国家自然科学基金(11247323)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
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- ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究
- 2012年
- 本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域。由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性。
- 熊超肖进丁丽华陈磊袁洪春徐安成周详才朱锡芳潘雪涛
- 关键词：ZNO界面态
- 双kicked棘轮模型中粒子香农熵演化的研究
- 2015年
- Delta-kicked模型是可以实现棘轮效应的哈密顿型量子模型。在双kicked型棘轮模型中，2个频率不同的闪烁势交替作用于1个具有均匀零动量初态的粒子，在量子共振被激发的条件下，模型中便出现棘轮效应。在不同的量子共振下，粒子香农熵演化出现了不同的规律。研究表明从香农熵演化的角度分析，可以更好地判断量子共振是否被激发。
- 陈磊肖进赵宇杜文汉
- n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究被引量：1
- 2013年
- 采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。
- 熊超朱锡芳陈磊陆兴中袁洪春肖进丁丽华徐安成
- 关键词：I-V特性C-V特性
