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BNKT-BZN无铅压电陶瓷的制备及电学性能研究: 2013年; 采用传统固相法制备得到(0.8-x)Bi0.5Na0.5TiO3-0.2Bi0.5K0.5TiO3-xBi(Zn2/3Nb1/3)O3(摩尔分数0≤x≤0.06)(简称(0.8-x)BNT-0.2BKT-xBZN)无铅压电陶瓷。利用XRD、SEM等测试技术表征了该体系陶瓷的晶体结构、表面形貌及介电和压电性能。研究结果表明,所有组分的陶瓷样品均形成典型的钙钛矿结构;同一烧结温度下,随着Bi(Zn2/3Nb1/3)O3含量的增加,晶粒尺寸增加;在1 180℃烧结温度保温2h的条件下,组成为x=0.02的陶瓷样品经极化后,压电常数d33=48pC/N,相对介电常数εT33/ε0=598.9,介电损耗tanδ=0.048 45。; 王珊陆翠敏赛玉荣郭英健李铭祁永霞; 关键词：无铅压电陶瓷表面形貌介电性能压电性能

Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3压电陶瓷的温度稳定性研究被引量：1: 2012年; 探讨了硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT5）压电陶瓷的相组成及温度稳定性的影响.研究结果发现：各掺杂组成在900℃的煅烧温度下,都可以得到钙钛矿结构.随着各掺杂离子的增大,四方相含量减少,准同型相界向三方相移动.综合考虑离子掺杂对PMSZT5压电陶瓷的机电性能及温度稳定性的研究结果表明：锰过量较其它铌和铬掺杂的温度稳定性更好,机电性能最佳的PMSZT5＋0.1wt%MnO2的组成,ε33T/ε0=1560,d33=350pC/N,Kp=0.63,25~80℃的fr、K31和d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、0.027%/℃和0.100%/℃.; 陆翠敏刘庆锁左建波孙清池; 关键词：PMSZT压电陶瓷相组成温度稳定性

锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的MnO_2改性研究: 2012年; 探讨了MnO2过量对锑锰锆钛酸铅(Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3,简写为PMSZT5)压电陶瓷的性能影响。通过X线衍射(XRD)分析了PMSZT5+z%MnO2(z=0～0.7,质量分数)陶瓷的相组成。结果发现,合成温度900℃保温2h后可得到完全钙钛矿结构。随着锰含量的增大,体系从准同型相界向三方相转变。z>0.1、1 240℃烧结温度下,介电常数ε3T3/ε0、压电常数d33、机电耦合系数kp达到最佳值,即ε3T3/ε0=1 560、d33=350pC/N、kp=0.63。该组成的谐振频率fr、横向机电耦合系数k31和压电常数d31的温度稳定性与未掺杂相比有所改善。过量锰的加入使PMSZT5的居里温度降低。; 陆翠敏刘庆锁左建波; 关键词：相组成显微结构温度稳定性居里温度

NiTi薄膜对压电陶瓷材料阻尼性能的影响: 采用磁控溅射法在压电陶瓷(PZT)基体上沉积形状记忆合金NiTi薄膜,经过600°C晶化而制备出PZT/NiTi异质复合阻尼材料,采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜等观察分析复合阻尼材料的物相组成及异质间的结合状态,并用相...; 卢雪梅刘庆锁何烜坤张玉娇; 关键词：压电陶瓷形状记忆合金复合材料阻尼性能; 文献传递

沉积不连续NiTi形状记忆合金薄膜PZT的阻尼性能被引量：2: 2011年; 在铁电陶瓷锆钛酸铅(PZT)表面沉积不连续的NiTi形状记忆合金(SMA)薄膜,运用XRD、SEM和动态弹性模量测试仪研究了其显微组织及阻尼特性。结果表明:与PZT相比,NiTiSMA薄膜/PZT复合材料的阻尼性能下降;原因是PZT基体与NiTi SMA薄膜在晶化冷却时的收缩不一致导致在PZT基体中靠近薄膜的区域形成了组织异常区,限制了电偶极子的运动,在外界应力作用下薄膜与基体两者的应变不协调加强了异常区对电偶极子运动的限制。; 张玉姣刘庆锁陆翠敏李伟卢明超; 关键词：NITI 形状记忆合金显微组织

PZT基体沉积条形分布NiTiSMA薄膜复合材料的介电性能: 2011年; 使用模具并采用磁控溅射法在铁电陶瓷PZT基体上沉积具有条形分布结构的Ni Ti SMA薄膜。显微组织结构观察发现,以条形分布结构方式沉积的Ni Ti SMA薄膜晶化处理后具有等轴晶结构。比较所制备PZT/Ni-Ti SMA薄膜复合材料与纯PZT的介电常数及介电损耗发现,两者的介电损耗水平接近;复合材料的介电常数比纯PZT的提高约18%。Ni Ti SMA的沉积使基体中靠近薄膜区域的Zr/Ti物质的量比恰好落在准同型相界区内,致使所制备复合材料的介电性能优于纯PZT。; 张玉姣刘庆锁卢明超; 关键词：NITI 等轴晶介电性能

NiTi薄膜对压电陶瓷材料阻尼性能的影响被引量：3: 2010年; 采用磁控溅射法在压电陶瓷（PZT）基体上沉积形状记忆合金NiTi薄膜,经过600℃晶化而制备出PZT/NiTi异质复合阻尼材料,采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜等观察分析复合阻尼材料的物相组成及异质间的结合状态,并用相位法评价复合材料的阻尼性能.结果表明,PZT/NiTi异质复合阻尼材料的阻尼性能与PZT类似,但在频率为1.1～1.2 kHz时,其内耗曲线中出现了一个稳定平台.; 卢雪梅刘庆锁何烜坤张玉娇; 关键词：压电陶瓷形状记忆合金复合材料阻尼性能

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