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国防科技重点实验室基金(9140C0601040602)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：李昌青齐志华孙聂枫更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇磷化铟
  • 1篇INP材料

机构

  • 1篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇孙聂枫
  • 1篇齐志华
  • 1篇李昌青

传媒

  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同熔体配比InP材料中的缺陷研究被引量：3
2007年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料。对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试。结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低。
齐志华李昌青孙聂枫
关键词：磷化铟
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