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双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性被引量：1: 2015年; 为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的关态电流(Ioff),提高开关电流比(Ion/Ioff),采用磁控溅射法制备掺硅氧化锌薄膜晶体管(SZO-TFT)和SZO/ZnO双层有源层结构的TFT器件,研究了Si含量对SZO薄膜透光性和SZO-TFT电性能的影响,比较了单层与双层有源层结构TFT器件的电特性。与ZnO-TFT相比,SZOTFT的Ioff低2个数量级,最低达1.5×10-12A;Ion/Ioff高两个数量级,最高达7.97×106。而SZO/ZnO双有源层结构的TFT器件可在不降低载流子迁移率的情况下,Ion/Ioff比ZnO-TFT提高近两个数量级,有效改善了器件的整体性能。; 莫淑芬刘玉荣刘远; 关键词：薄膜晶体管氧化锌

ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展被引量：4: 2013年; 氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素。目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等)。为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣,并让研究者在选择制备技术时有所参考,文章概述了各种有源层制备技术的特点,并比较了这些制备方法所制备的ZnO-TFT器件性能。通过对比各器件性能参数可以发现,脉冲激光沉积和射磁控溅射所制备的ZnO有源层具有较优的性质,并被广泛使用。文章还对ZnO-TFT的优化方法做了简单介绍。; 苏晶刘玉荣莫昌文简平李晓明; 关键词：氧化锌薄膜晶体管有源层

氧化锌薄膜晶体管的制备及其性能研究: 单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT).该薄膜晶体管呈现出较好的...; 刘玉荣任力飞温智超扬任花游晓梅洪浩高姚若河; 关键词：场效应晶体管氧化锌薄膜电特性稳定性

氧化锌薄膜晶体管电性能的温度特性被引量：1: 2016年; 采用射频磁控溅射法成功制备了Zn O薄膜晶体管(Zn O-TFT),研究了Zn O-TFT电学性能的温度依赖性及其影响机理。从室温27℃到210℃的变化范围,随着器件温度的升高,Zn O-TFT的开关电流比和阈值电压都有明显的减小,亚阈值摆幅明显升高,有效场效应迁移率先增加再逐渐减小。电性能的变化主要来源于因温度升高引起的沟道有源层载流子浓度增加,点缺陷的形成,界面散射增强等多种因素复合作用所致。另外,当器件温度逐渐冷却至初始温度过程,器件的电特性与升温前存在一定的迟豫现象,这主要是由于升温期间Zn O薄膜有源层中产生的点缺陷(氧空位和间隙氧原子),以及被缺陷态陷阱的电子需要较长时间通过复合而消失。; 王聪刘玉荣; 关键词：薄膜晶体管氧化锌电特性温度特性

层叠式PVDF薄膜超声换能器及其频谱特性被引量：1: 2013年; 提出了一种利用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜层叠的组合结构方案设计超声换能器,用以解决柔性薄膜超声换能器输入/输出信号增益低的问题;并通过理论推导及数学软件仿真给出了该结构换能器的幅频特性。利用仿真结果可估算出层叠式结构超声探头的增益、谐振频率和通频带与PVDF薄膜厚度及薄膜层数之间的对应关系。这对于缩短高频超声探头的设计周期,降低开发成本,提高探头转换增益及检测灵敏度都具有重要意义。; 简平刘玉荣姚若河苏晶; 关键词：幅频特性超声换能器

有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响被引量：2: 2013年; 为优化氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的工艺参数,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜制备出不同有源层厚度的ZnO-TFT器件,探讨了有源层厚度对ZnO-TFT电学性能的影响.实验结果表明:有源层厚度在65nm附近时,ZnO-TFT器件的性能最好;有源层太薄时,ZnO薄膜的结晶性差,薄膜内部存在大量孔洞和缺陷,从而导致ZnO-TFT器件的载流子迁移率较低,开关电流比较小;有源层太厚(大于65 nm)时,ZnO-TFT的载流子迁移率和开关电流比随有源层厚度的增加而减小,这是因为随着有源层厚度的增加,载流子在源、漏电极附近高电阻区的导电路径增加.; 刘玉荣李晓明苏晶; 关键词：薄膜晶体管氧化锌有源层厚度电学性能

沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响: 2013年; 用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。; 苏晶莫昌文刘玉荣; 关键词：氧化锌薄膜晶体管

基于石墨烯场效应晶体管的研究进展被引量：3: 2016年; 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。; 王聪刘玉荣; 关键词：石墨烯

High-photosensitivity polymer thin-film transistors based on poly(3-hexylthiophene)被引量：1: 2012年; Polymer thin-film transistors(PTFTs) based on poly(3-hexylthiophene) are fabricated by the spin-coating process,and their photo-sensing characteristics are investigated under steady-state visible-light illumination.The photosensitivity of the device is strongly modulated by gate voltage under various illuminations.When the device is in the subthreshold operating mode,a significant increase in its drain current is observed with a maximum photosensitivity of 1.7×10 3 at an illumination intensity of 1200 lx,and even with a relatively high photosensitivity of 611 at a low illumination intensity of 100 lx.However,when the device is in the on-state operating mode,the photosensitivity is very low:only 1.88 at an illumination intensity of 1200 lx for a gate voltage of-20 V and a drain voltage of -20 V.The results indicate that the devices could be used as photo-detectors or sensors in the range of visible light.The modulation mechanism of the photosensitivity in the PTFT is discussed in detail.; 刘玉荣黎沛涛姚若河; 关键词：光敏性己基栅极电压

退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响被引量：5: 2011年; 针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少.; 刘玉荣任力飞杨任花韩静姚若河温智超徐海红许佳雄; 关键词：薄膜晶体管氧化锌电特性退火温度

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