湖北省自然科学基金(2003ABA021)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷被引量：3
- 2010年
- 用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaSb的光致发光谱,发现GaSb中的Zn没有与辐照缺陷相互关联.质子辐照在样品中产生了非辐射复合中心.这种非辐射复合中心很可能是双空位和小空位团.利用光致发光谱推算了受主杂质Zn在GaSb中的能级位置.在经过质子辐照后的样品中发现了氢的存在,氢充当了浅受主杂质.通过退火实验观察到了样品中空位型缺陷的迁移合并和分解,发现氢原子加强了缺陷的移动能力.
- 周凯李辉王柱
- 关键词：GASB正电子湮没光致发光谱
- 符合多普勒展宽谱的源修正研究
- 2005年
- 测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- CDB的源修正
- 我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合...
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- 文献传递
