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p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管的制备及Ⅳ特性研究被引量：1: 2019年; 采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O_2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O_2通量是制备Cu_2O半导体薄膜的关键因素,器件I_(DS)电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有助于提高器件的I_(DS)的绝对值.测试表明,制备的沟道宽度为50μm的典型器件的电导率、电流开关比和阈值电压分别为0.63S/cm,1.5×10~2及-0.6V.; 李梦轲吕东徽赵佳佳周施彤刘丹妮; 关键词：CU2O 半导体薄膜场效应晶体管

取向ZnO/Cu<sub>2</sub>O纳米异质结阵列的制备及光电特性研究: 2019年; 采用电化学沉积法制备了取向ZnO/Cu2O异质结阵列。通过FESEM、XRD、XPS、PL、IV特性测试等手段对形成的纳米异质结的形貌、晶体结构、化学成份、光致发光、IV特性和光电转换特性等进行了分析讨论。结果表明,沉积时间及沉积电压是影响制备高质量ZnO/Cu2O核壳异质结阵列的关键因素。异质结的Cu2O包覆层厚度约为15~25 nm,主要由单晶纳米晶粒构成,晶粒细致。测试发现,相对于纯ZnO纳米线阵列,ZnO/Cu2O异质结阵列的紫光发光峰强度有所减弱,绿光峰强度有所增强,且绿光峰的中心峰位还出现了20~30 nm的红移现象。同时,ZnO/Cu2O异质结阵列还表现出了较好的光电响应特性。; 赵佳佳周施彤吕东徽郭佳盈刘丹妮李梦轲; 关键词：ZNO 纳米半导体异质结

Sb、In掺杂对SnO半导体能带结构的影响被引量：1: 2021年; 基于密度泛函理论第一原理,利用平面波超软赝势法计算了SnO超胞掺杂不同含量Sb和In元素后的能带结构、态密度和分波态密度变化特性.研究发现,Sb和In元素掺杂都可使SnO半导体的禁带宽度变窄,导电特性显著提高.Sb掺杂后,SnO为n型半导体,其导电带底部明显下降,掺杂浓度越高,电导率越强,这更有利于SnO半导体异质结和器件制备.In掺杂后,SnO的费米能级显著地接近价带,表现出p型导电特性.; 李梦轲姜珊韩月张哲徐飒飒刘阳李旺柳婕; 关键词：第一性原理掺杂

铜基底上制备CuO纳米线的原位构筑及其在低温等离子体-催化氧化甲苯应用被引量：2: 2017年; 应用简单的热氧化方法发展一种简单、绿色、可大规模制备的高效整体式铜基催化剂.通过SEM对催化剂的形貌进行表征并对其结构进行分析;将铜基催化剂与低温等离子体结合,研究其在低温等离子体-催化氧化甲苯的效用,结果表明以铜泡沫为基底的催化剂相对来说降解效果较好,在耗能较低的情况下降解率达到96%.; 于东麒段连杰郑敏芳刘欢于伟行; 关键词：低温等离子体铜基催化剂甲苯降解

P3HT/MWNTs复合电致变色器件的制备及特性研究被引量：1: 2016年; 通过在导电聚合物电致变色材料聚3-己基噻吩(P3HT)中添加少量多壁碳纳米管(MWNTs),制备了不同MWNTs含量的P3HT/MWNTs复合膜电致变色器件,并利用扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光谱仪、四探针电导率测试仪等分析仪器对制备器件的电致变色膜层的显微结构、膜层电导率随MWNTs添加量的变化情况及电致变色特性进行了分析研究.结果发现:因少量MWNTs的添加,复合变色膜层的电导率可由1.2×10-2 S/cm提高到3.9S/cm,增加了近300倍.这对减少器件变色过程中的外加电压大小,提高器件颜色变化对比度,减小器件电致变色的响应时间,改善器件的使用寿命都是非常有利的.但研究也发现,过多MWNTs的添加,会导致复合电致变色膜层表面粗糙度增加,且过多的MWNTs也增加了变色层对可见光的吸收率,MWNTs添加量质量百分比不应超过膜层的2%.; 李梦轲王晶杨永超周阳刘玲毓李婷婷; 关键词：电致变色导电聚合物

Al、In掺杂SnO半导体材料能带结构的理论计算被引量：4: 2019年; 基于密度泛函理论的第一性原理,采用平面波超软赝势方法建立了本征SnO、掺杂In、Al及In、Al共掺的SnO晶体的超晶胞模型,并计算了各类模型的能带结构和态密度.研究发现,少量Al和In替位原子的掺杂可使SnO半导体的禁带宽度变窄,并可使其价带顶部态密度明显增加.掺杂后SnO材料呈现p型导电特性,导电特性明显改善.比较发现,与Al/SnO,Al、In/SnO相比,单掺杂In/SnO体系的晶格常数畸变更小,更有利于SnO半导体异质结及器件制备与应用.; 李梦轲徐飒飒赵佳佳周施彤; 关键词：SNO 掺杂第一性原理

MWNTs/PTH电致变色器件的制备及特性研究被引量：2: 2016年; 利用滚筒印刷法,开展了MWNTs/PTH复合材料电致变色器件(ECD)的制备及特性研究实验.结果表明,少量多壁碳纳米管(MWNTs)的添加,可在聚噻吩(PTH)导电聚合物膜层结构中形成一系列一维的MWNTs导电通道,提高了MWNTs/PTH复合材料电致变色器件变色层的电导率,增强了PTH电致变色过程中氧化还原反应的电子转移强度.对比发现,在改变相同颜色及对比度条件下,MWNTs/PTH复合膜层ECD器件所需外加电压数值比未添加MWNTs的聚合物ECD器件有所减小,器件的变色响应时间也大大缩短.说明将高导电性的MWNTs材料与PTH导电聚合物进行复合可提高ECD器件的电致变色特性.; 李梦轲许宁宁杨永超李婷婷张彤王晶刘玲毓; 关键词：电致变色

MWNTs/PANI/PVDF复合热电材料的制备及特性研究被引量：1: 2015年; 为开发新型有机聚合物热电材料,本文通过将不同重量百分比的多壁碳纳米管(MWNTs)、聚苯胺(PANI)导电聚合物与聚偏二氟乙烯(PVDF)有机聚合物三种材料进行超声分散并混合后,将其喷涂于聚对苯二甲酸乙二酯(PET)塑料片上,制备出了MWNTs/PANI/PVDF涂层型复合热电材料。实验表明,这种新型热电材料充分利用了均匀分散于复合体中的大量MWNTs及PANI导电聚合物颗粒,提高了复合体的导电特性。同时,利用MWNTs因交叉、链接及三种材料相互复合嵌套产生的大量界面势垒对声子及低能电子的散射效应及弥散于MWNTs及PANI之间的PVDF聚合物颗粒具有的低导热特性,使复合热电材料的塞贝克(Seebeck)系数及热电优值比单纯的碳管/聚合物热电材料有一定提高。研究结果对探索开发新型复合热电材料具有重要的参考价值。; 孙东升付宏波张彤王楠孙洁婷刘玲毓李婷婷李梦轲; 关键词：聚苯胺热电材料

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国家自然科学基金(61076104)