湖北省自然科学基金(2003ABA087)
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
- 相关作者：陈卫兵徐静平李艳萍许胜国季峰更多>>
- 相关机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响被引量：1
- 2007年
- 在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。
- 徐静平李艳萍许胜国陈卫兵季峰
- 关键词：界面态密度三氯乙烯
- 表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：3
- 2006年
- 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2+CHCl3(TCE)表面预处理工艺,可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度,从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。
- 许胜国徐静平李艳萍陈卫兵季峰
- 关键词：HFO2MOS器件栅极漏电流界面态
- 深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟
- 2007年
- 用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案求电子的自由飞行时间.这两个措施的实施,减小了蒙特卡罗模拟时间,加快了模拟速度.模拟中主要考虑了电离杂质、声学形变势、表面粗糙散射和电子谷间散射四种散射机制.模拟的MOSFET输出特性曲线和电子速度在沟道中的分布与报道的相关结果符合得很好.
- 季峰徐静平陈卫兵李艳萍
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管蒙特卡罗
- 高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析被引量：2
- 2004年
- 对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑 ,得出选用k <5 0且Tk/L≤ 0 .2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能。
- 陈卫兵徐静平邹晓李艳萍赵寄
- 关键词：高K栅介质金属-氧化物-半导体场效应晶体管阈值电压
- 超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
- 2007年
- 采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。
- 许胜国徐静平季峰陈卫兵李艳萍
- 关键词：隧穿电流金属-氧化物-半导体场效应晶体管超薄栅介质
- 小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型被引量：5
- 2006年
- 基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.
- 陈卫兵徐静平邹晓李艳萍许胜国胡致富
- 关键词：隧穿电流MOSFET解析模型
- 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型被引量：4
- 2006年
- 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.
- 李艳萍徐静平陈卫兵许胜国季峰
- 关键词：阈值电压量子效应短沟道效应高K栅介质
