云南省自然科学基金(2011FZ078)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相关机构：云南师范大学中国科学院云南天文台洛阳光电技术发展中心更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究被引量：2
- 2014年
- 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。
- 郭杰张小雷段剑金郝瑞亭许林
- 关键词：INAS
- InAs/GaSb超晶格红外探测器台面的ICP刻蚀研究被引量：1
- 2014年
- 采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20％~40％时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。
- 郭杰郝瑞亭赵前润满石清
- 关键词：超晶格ICP刻蚀刻蚀速率表面形貌
- InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化被引量：3
- 2014年
- 采用分子柬外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）／GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管．用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后，二极管漏电流密度降低了三个数量级，零偏阻抗R。达到10^6Q，RoA达到10^3Qcm2．通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分；电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4～5×10^14cm．在空气中放置一个月后再次测试，发现响应率和探测率几乎没有变化．与化学硫化和siO2薄膜钝化方法相比，阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法．
- 郭杰郝瑞亭段剑金许林李银柱
- 关键词：电流电压特性INASGASB超晶格
