河南省教育厅自然科学基金(2011A140027)
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 相关机构：郑州航空工业管理学院中国工程物理研究院西安交通大学更多>>
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- 3D基底上碳纳米管场发射I-V特性建模与计算
- 2013年
- 利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算了在立体结构上生长碳纳米管和平面型冷阴极上直接生长碳纳米管的电流密度,通过数值计算计算了总的场发射电流,结果表明,场发射电流随场强的变化非常大,立体墙结构型冷阴极场发射电流与平面型冷阴极发射电流相比,场发射能力得到极大的增强。
- 霍海波麻华丽丁佩曾凡光
- 关键词：场发射有限元
- 缓冲层对碳纳米管强流脉冲发射特性的影响
- 2012年
- 为了研究缓冲层对碳纳米管薄膜(CNTs)强流脉冲发射特性的影响,采用酞菁铁高温热解方法分别在镀镍和不镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni-CNTs和Si-CNTs),镍层采用化学镀方法制备,强流脉冲发射特性采用二极结构在单脉冲下进行测试。实验发现,通过引入镍缓冲层,CNTs的强流脉冲发射能力显著增强。在峰值为～10.4 V/μm的脉冲场强下,平均开启电场强度从Si-CNTs的5.0V/μm下降到Ni-CNTs的4.3V/μm,而峰值发射电流和电流密度从Si-CNTs的70A和3.5 A/cm2升高到Ni-CNTs的162 A和8.1 A/cm2,Ni-CNTs的峰值电流比Si-CNTs提高了1.3倍。
- 麻华丽李昕刘卫华乔淑珍张锐曾凡光夏连胜
- 关键词：化学镀碳纳米管
- 单晶硅掺杂类型对化学镀Ni-P膜的影响
- 2011年
- 本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni-P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究。结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好。
- 麻华丽张新月杜银霄陈雷明茹意张锐曾凡光刘波刘凯梁浩
- 关键词：化学镀
