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国家教育部博士点基金(20123218120017)

作品数：19 被引量：187H指数：7
相关作者：秦海鸿朱梓悦严仰光董耀文徐华娟更多>>
相关机构：南京航空航天大学工业和信息化部上海电机学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电气工程
  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇碳化硅
  • 4篇SIC
  • 3篇氮化镓
  • 3篇电力
  • 3篇电力电子
  • 3篇开关特性
  • 3篇变换器
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电机
  • 2篇永磁
  • 2篇损耗
  • 2篇耐高温
  • 2篇二极管
  • 2篇半导体
  • 1篇低损耗
  • 1篇电动
  • 1篇电动机
  • 1篇电动汽车
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电力拖动

机构

  • 18篇南京航空航天...
  • 1篇河海大学
  • 1篇上海电机学院
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇无锡市计量测...

作者

  • 19篇秦海鸿
  • 8篇朱梓悦
  • 6篇严仰光
  • 5篇董耀文
  • 4篇付大丰
  • 4篇徐华娟
  • 4篇聂新
  • 4篇袁源
  • 3篇赵海伟
  • 3篇张英
  • 2篇赵斌
  • 2篇钟志远
  • 2篇李寒松
  • 1篇曾庆喜
  • 1篇赵朝会
  • 1篇戴卫力
  • 1篇龚春英
  • 1篇王慧贞
  • 1篇余忠磊
  • 1篇马亚飞

传媒

  • 4篇电源学报
  • 3篇电气自动化
  • 3篇上海电机学院...
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇电工技术学报
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇电工电能新技...
  • 1篇电子器件
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇电气工程学报

年份

  • 2篇2017
  • 8篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
宽禁带半导体器件研究现状与展望被引量：30
2016年
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。
朱梓悦秦海鸿董耀文严仰光徐华娟
关键词：碳化硅氮化镓
GaN功率器件及其应用现状与发展被引量：7
2016年
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。现有硅基电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件的研究热点。介绍了氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状,阐述了其在典型场合中的应用,并剖析了其发展中存在的挑战。
秦海鸿董耀文张英徐华娟付大丰严仰光
关键词：氮化镓电力电子技术
宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用被引量：3
2016年
硅基电力电子器件经过长期的发展,其性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。首先主要介绍了电动汽车对电力电子变换器的要求及宽禁带器件的发展,然后对宽禁带器件在电动汽车中的研究现状进行了分析和展望,最后指出了宽禁带器件在电动汽车应用中面临的主要问题。
董耀文秦海鸿付大丰徐华娟严仰光
关键词：碳化硅氮化镓电动汽车
耐高温变换器研究进展及综述被引量：3
2016年
耐高温变换器在多电飞机、电动汽车和石油钻井等恶劣环境中具有十分重要的应用价值。碳化硅功率器件具有高结温工作能力、较低损耗以及良好的温度稳定性,有利于实现耐高温变换器。首先简要阐述了耐高温变换器的应用领域和SiC基耐高温变换器各组成部分的技术发展现状,再介绍了SiC基耐高温变换器应用实例,最后探讨了SiC基耐高温变换器的关键问题和发展前景。
谢昊天秦海鸿董耀文徐华娟付大丰严仰光
一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管
2015年
对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小于15 ns,325℃时漏电流低于100 u A,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22μs短路的能力。以100 k Hz、800 V/7 A下进行开关动作时,Si C SJT与Si C肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64%左右,适合高频工作。
袁源王耀洲谢畅秦海鸿
关键词：半导体元件耐高温低损耗
SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较被引量：1
2015年
SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kW PMSM,对功率器件分别采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析。设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiC MOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能。
谢昊天秦海鸿聂新朱梓悦马策宇
关键词：永磁同步电动机开关损耗
SiC功率器件的开关特性探究被引量：25
2014年
与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。
赵斌秦海鸿马策宇袁源钟志远
关键词：碳化硅肖特基二极管MOSFET开关特性
基于两相正交型开关霍尔转子位置预估方法被引量：6
2016年
为了拓展永磁同步电机在低成本电力拖动系统中的应用,在分析霍尔估算原理的基础上,利用两相正交型开关霍尔传感器对永磁同步电机转子位置估算方法进行了研究,并对霍尔位置估算方案的原理误差和霍尔安装引起的固有误差进行了分析。最后在STM32微控制器上完成了转子位置估算的软件设计,实现了永磁同步电机的闭环控制。实验结果表明采用两相正交型开关霍尔进行转子位置检测,能得到较好的位置准确度,性价比高,可以应用于对成本要求苛刻的永磁同步电机控制场合。
荀倩秦海鸿李寒松聂新曾庆喜
关键词：误差分析
SiC功率器件在Buck电路中的应用研究被引量：5
2014年
近年来,一种新型半导体器件碳化硅(SiC)以其优良的性能逐渐受到人们的关注。介绍了SiC的材料特性及基于SiC的功率开关器件的特性,并对其在Buck电路中的应用进行了探索。主要对SiC器件的特性参数进行分析,并对Buck电路的主功率部分及控制驱动部分进行了设计。通过设计Buck电路并进行仿真实验,验证了理论设计的正确性。实验结果表明,SiC MOSFET器件在高频大电压的应用场合相对于硅(Si)MOSFET器件有着开关损耗低,效率高等优点。
马策宇陆蓉袁源秦海鸿
关键词：半导体器件特性参数
多电飞机与电力电子被引量：69
2014年
从多电飞机用电设备的非线性特性探讨了飞机电源的特点,分析了变频交流电源的不足之处。从高温电力电子器件对飞机电源、配电和用电设备发展的价值,考察了下一代多电飞机电气系统的能量管理与热管理的必要性及其主要机电装置的研究方向。推动电力电子器件及其装置的发展,已成为实现多电飞机的必要条件。
严仰光秦海鸿龚春英王慧贞
关键词：多电飞机高压直流电源
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