贵州省自然科学基金(J[2013]2119)
- 作品数：16 被引量：36H指数：3
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- 溅射Ar流量对Mn膜光学常数的影响被引量：1
- 2014年
- 采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪,在能量2.0～4.0 eV范围内测量了磁控溅射法制备的金属Mn膜的光学常数,分析了氩气流量对Mn膜光学性质的影响.结果表明,在低能区,随Ar流量的增加,薄膜的所有光学常数均有不同程度的降低;而在高能区,流量对光学常数的影响不明显.薄膜复介电常数、折射率n随流量增大不断减小,在流量为15 mL/min后变化不明显;而消光系数k在流量为15～20 mL/min没有明显变化,在流量达到25 mL/min后消光系数显著减小.
- 邵飞张晋敏唐华杰胡维前谢泉卢顺顺贺晓金
- 关键词：磁控溅射光学常数
- 压强对液态InGaAs快速凝固过程中微观结构变化的影响被引量：2
- 2017年
- 采用分子动力学方法模拟不同压强下液态InGaAs的快速凝固过程,并采用径向分布函数、键角分布函数、配位数统计以及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了压强对凝固过程微观结构的影响机制.结果表明:对于InGaAs体系,压强对最近邻和次近邻的原子排布都有影响,但对次近邻原子排列的影响更为明显,通过次近邻原子键角的调整,使得原子排列更加紧密,体系的短程有序度增强.在原子的配位数结构上,随着压强的增加,部分三配位向四配位发生转变,从而使整个体系达到致密的结构.
- 何帆张晋敏高廷红梁永超田泽安郭笑天卢顺顺陈庆谢泉
- 关键词：分子动力学模拟快速凝固过程微观结构
- InGaAs晶体固-液相变过程中的拓扑结构的演变机制
- 2017年
- 采用分子动力学模拟InGaAs晶体固-液相变过程,并运用径向分布函数、键角分布函数、配位数统计及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了固-液相变过程的结构演变.结果表明:对于InGaAs体系,固-液相变过程中的微观结构发生了很大的变化,在一级相变时,其原子平均能量和比体积、径向分布函数、键角分布函数、配位数和原子截面图、局部原子分布以及钻石结构分析都显示出很明显的变化.熔化过程中InGaAs晶体原子间共价键发生断裂,体系从四配位结构变成三配位结构,通过占主导作用的三配位结构,结合少量的四配位结构,形成三配位结构之间的互连接和三配位结构穿插四配位结构的连接形成的拓扑无序的液态结构.
- 何帆张晋敏高廷红田泽安梁永超郭笑天卢顺顺陈庆谢泉
- 关键词：分子动力学模拟拓扑结构
- 锯齿型与扶手椅型碳化硅纳米管光电性质第一性原理研究
- 2021年
- 本文基于密度泛函理论计算分析了手性参数为(17,0)、(20,0)、(26,0)(10,10)、(12,12)、(15,15)的碳化硅纳米管的能带图,态密度及主要光学性质.结果表明:锯齿型与扶手椅型碳化硅纳米管均具有明显的半导体性质;在相近直径下,扶手椅型碳化硅纳米管带隙宽度要大于锯齿型碳化硅纳米管的带隙宽度;碳化硅纳米管的光吸收峰在100 nm~200 nm之间,可用于制作紫外线探测器件.
- 聂涛罗祥燕秦成龙周卢玉谢泉
- 关键词：密度泛函理论光电性质
- Co含量对Fe_3Si合金磁学性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对过渡金属Co掺杂Fe_3Si进行几何结构优化,计算Co含量对Fe_3Si合金磁学性质的影响.研究表明:Fe_(3-x)Co_xSi的磁性主要来源于过渡金属元素Fe和Co,并且相对于A、C位的Fe和Co原子,B位Fe的原子磁矩较大;在0≤x≤0.75范围内,随着Co含量的增大,Fe_(3-x)Co_xSi的总磁矩缓慢减小,在0.75≤x≤1.5时,其总磁矩迅速地增大;A、C位Fe原子的磁矩和合金总磁矩的变化趋势相同,Co原子的磁矩随着Co含量的增大缓慢地增大,原子的磁矩变化与自旋向上和向下方向的电荷转移有关.
- 贺晓金张晋敏黄晋卢顺顺何帆吴宏仙邵鹏谢泉
- 关键词：SI电子结构磁矩
- 溅射功率对金属锰膜光学性质的影响被引量：2
- 2013年
- 采用磁控溅射方法在Si(111)基片上制备金属锰膜,用椭圆偏振光谱在入射光子能量为2.0—4.0 eV范围内研究了溅射功率对薄膜光学性质的影响.利用德鲁得-洛伦兹色散模型对椭偏数据进行拟合,结果表明在测量范围内随溅射功率增加薄膜的折射率减小;消光系数随入射光子能量增加先增加后减小,在3.0 eV附近处出现极大值,并且极大值所处的位置随溅射功率增加而向低能方向移动,这主要与溅射沉积的锰薄膜的质量有关,且随溅射功率的增加薄膜的消光系数逐渐趋近于金属锰的数值.研究结果还表明溅射功率的增加减少了薄膜中的空隙,有利于薄膜的生长.
- 唐华杰张晋敏金浩邵飞胡维前谢泉
- 关键词：磁控溅射椭圆偏振光谱
- 掺杂对高锰硅化合物热电性质的影响
- 2015年
- 高锰硅化合物是一种环境友好型热电材料．是目前新技术领域的重点材料之一。然而为了提高其热电性能，目前许多研究者采用各种元素掺杂制备高猛硅化合物．并研究对其热电性质的影响，且在此方面已经获得相应的研究成果。文章对掺杂元素影响高锰硅化合物热电性质的物理机制进行了简单分析，总结了各位学者对掺杂元素制备的高锰硅化合物的热电性质探究。研究表明，掺杂会使高锰硅材料的电导率、热导率减小，赛贝克系数增大，进而增大其功率因子，提高热电优值，改善热电性质。
- 吴宏仙张晋敏房迪谢泉
- 关键词：热电材料掺杂热电性质
- Al-N共掺杂金红石相TiO_2的第一性原理研究被引量：3
- 2018年
- 本文采用了基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对金红石相TiO_2进行了计算,其中内容包括未掺杂与单掺杂Al、单掺杂N以及共掺杂Al-N这四种不同情况下TiO_2的能带结构与态密度和光吸收系数的研究.计算结果表明:单掺杂Al和N时,均不同程度地改变了其能带结构,光吸收能力均有提高但效果不佳.在共掺杂Al-N时,TiO_2晶格常数产生了改变,并出现了新的杂质能级.由于杂质能级存在于TiO_2禁带范围内,减小了电子跃迁至导带所需能量,从而提高了其光吸收能力,其效果相对于单掺杂来说更有明显提高.
- 方祥马家君谢泉李鑫
- 关键词：第一性原理光学性质
- N-Mo-W共掺杂金红石相TiO2的第一性原理研究被引量：3
- 2019年
- 基于密度泛函理论第一性原理与平面波超软赝势法是目前对物质光学性质计算的成熟手段,本文利用MS软件采取该方法对金红石相TiO2进行了不同掺杂情况下的模拟计算.内容包括未掺杂与单掺杂Mo、单掺杂N、共掺杂Mo-N以及共掺杂N-Mo-W这五种不同情况下TiO2的能带结构、电子态密度与光学性质分析,通过对计算得出的数据分析有以下结论:单掺杂能改变TiO2禁带宽度,但相对于共掺杂Mo-N和W-N以及N-Mo-W来说效果欠佳.其中,掺杂W时由于在导带底中出现新的杂质能级,并出现了导带下降幅度大于价带下降幅度的情况,禁带宽度变窄,使得在单掺杂情况中效果明显.而共掺杂中N-Mo-W的价带出现清晰的杂质能级,并且由于该能级介于费米能级附近的关系使得价电子跃迁至导带更为容易,并且此时能级密度较大也是掺杂效果明显的一个重要原因.
- 方祥谢泉
- 关键词：第一性原理光学性质
- 锯齿型硅纳米管不同手性下的电学与光学性质被引量：1
- 2020年
- 本文用第一性原理中的局域密度近似方法,计算了锯齿型单壁硅纳米管(single-walled silicon nanotubes,SWSiNTs)的能带结构、态密度、吸收谱及反射谱.计算结果表明当n=6~9时,带隙为0,该组SWSiNTs具有金属性;当n=10~21时,能带图出现带隙,该组SWSiNTs具有半导体性;当n=13~21时,该组SWSiNTs的带隙以3组手性指数为周期减小;并在吸收谱和反射谱都会在一些相似频率值附近产生峰值.
- 周卢玉刘玉荣罗祥燕谢泉
- 关键词：纳米材料导电性光学性质
