您的位置： 专家智库 > >

上海市科学技术委员会资助项目(11DZ2261000)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：范茜宏潇许伟义陈后鹏陈一峰更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇驱动电路
  • 1篇相变存储
  • 1篇相变存储器
  • 1篇阶梯波
  • 1篇编程
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇蔡道林
  • 1篇王倩
  • 1篇李喜
  • 1篇金荣
  • 1篇宋志棠
  • 1篇陈一峰
  • 1篇陈后鹏
  • 1篇许伟义
  • 1篇宏潇
  • 1篇范茜

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路
2013年
相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。
范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠
关键词：相变存储器阶梯波
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0