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辽宁省教育厅高等学校科学研究项目(20021076)

作品数:4 被引量:2H指数:1
相关作者:吴春瑜付强钟玲王中文尹飞飞更多>>
相关机构:辽宁大学中国人民解放军沈阳炮兵学院微电子有限公司更多>>
发文基金:辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省自然科学基金辽宁省科技厅自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇等效
  • 1篇电流放大
  • 1篇电流放大系数
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇电源
  • 1篇门极
  • 1篇门极换流晶闸...
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶闸管
  • 1篇换流
  • 1篇集成门极换流...
  • 1篇二极管
  • 1篇变容二极管
  • 1篇PISC
  • 1篇PNP晶体管
  • 1篇ESD
  • 1篇ESD保护
  • 1篇GC

机构

  • 4篇辽宁大学
  • 2篇中国人民解放...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 3篇吴春瑜
  • 3篇付强
  • 2篇钟玲
  • 1篇尹飞飞
  • 1篇张帅
  • 1篇石广源
  • 1篇王中文
  • 1篇李文昌

传媒

  • 4篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
非对称型集成门极换流晶闸管(IGCT)在PISCES-2ET软件平台上器件模拟被引量:1
2006年
运用PISCES-2ET软件对非对称型集成门极换流晶闸管进行器件模拟,给出了器件的杂质浓度、电子和空穴浓度和电势的二维和三维分布;通过模拟结果来验证设计是否合理,对下一步设计器件的物理参数和结构参数起到指导作用.
付强钟玲吴春瑜王中文孙传邦王辉
关键词:集成门极换流晶闸管
超突变结变容二极管C-V特性研究被引量:1
2005年
对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致.理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的.
吴春瑜尹飞飞
关键词:变容二极管超突变结
GTO在导通条件下等效PNP晶体管的电流放大系数
2005年
以往对门极可关断晶闸管电流放大系数的研究主要集中在定性分析.通过利用少子连续性方程,计算出在导通情况下GTO等效PNP晶体管的电流放大系数的公式,并分析其影响电流放大系数的因素,并确定出电流放大系数是由GTO的物理参数,结构参数等因素所决定.
付强吴春瑜
关键词:GTO导通电流放大系数
GCNMOS结构电源和地之间的ESD保护电路设计
2008年
分析了电源与地之间ESD保护电路的必要性,研究用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压达到了3 kV.
付强张帅李文昌钟玲石广源
关键词:ESD
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