您的位置： 专家智库 > >

国家教育部博士点基金(20091301110002)

作品数：21 被引量：37H指数：4
相关作者：刘保亭赵庆勋王宽冒彭增伟马继奎更多>>
相关机构：河北大学英利绿色能源控股有限公司河北省科技工程学校更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 16篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇铁电
  • 7篇O
  • 6篇电容
  • 6篇电容器
  • 5篇铁电电容器
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇溶胶
  • 4篇铁电性
  • 4篇阻挡层
  • 4篇NI-AL
  • 3篇溶胶-凝胶
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 3篇BIFEO
  • 3篇BIFEO3
  • 3篇MN
  • 2篇电极
  • 2篇异质结

机构

  • 20篇河北大学
  • 1篇华北电力大学
  • 1篇中国科学院国...
  • 1篇英利绿色能源...
  • 1篇河北省科技工...

作者

  • 19篇刘保亭
  • 11篇赵庆勋
  • 6篇王宽冒
  • 6篇彭增伟
  • 5篇魏大勇
  • 5篇马继奎
  • 4篇陈剑辉
  • 4篇郭建新
  • 4篇李曼
  • 4篇朱慧娟
  • 3篇郭哲
  • 3篇付跃举
  • 3篇代秀红
  • 3篇贾冬梅
  • 2篇王英龙
  • 2篇刘卓佳
  • 2篇闫会芳
  • 2篇李晓红
  • 2篇任国强
  • 2篇边芳

传媒

  • 13篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Rare M...

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 8篇2011
  • 5篇2010
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能被引量：2
2012年
应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。
任国强邢金柱李晓红郭建新代秀红杨保柱赵庆勋
关键词：CU互连阻挡层射频磁控溅射
沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响被引量：3
2010年
采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65μC/cm2。采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理。
赵庆勋魏大勇王宽冒马继奎刘保亭王英龙
关键词：脉冲激光沉积沉积温度
沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响被引量：10
2011年
应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构。在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×10-4A/cm2。漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理。实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性。
赵庆勋张婷马继奎魏大勇王宽冒刘保亭
关键词：磁控溅射沉积温度SRRUO3BIFEO3薄膜
紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响被引量：1
2014年
采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器。研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电容器表面,产生光电导,漏电流密度变大;测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。在紫光照射下,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生光生载流子的缘故。由于光辐射的作用,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电容增大。
彭增伟姜庆华朱慧娟王晋峰刘保亭
关键词：溶胶-凝胶
(001)高度择优取向Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt异质结的结构及性能被引量：1
2010年
采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理,在MgO（001）单晶基片上制备了Pt薄膜。应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜。借助X射线衍射仪（XRD）、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能。研究发现,700℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现（001）高度择优生长,以（001）Pt薄膜为模板,可以进一步获得（001）高度择优取向具有铁电性能BST薄膜。在100 Hz测试频率下,BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81%、品质因数为21;在7 V的电压下,漏电流密度1.85×10-5A/cm2,进一步分析表明,BST薄膜在0-2.6 V之间满足欧姆导电机制,在2.6-7 V之间满足普尔-弗兰克导电机制。
郭哲刘保亭王军李曼张金平娄建忠
关键词：BST薄膜脉冲激光沉积导电机制
光照对BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜铁电和输运性质的影响被引量：3
2011年
采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/SrRuO3/BFMO/Pt型电容器。X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜。紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生的光生载流子影响了退极化场的分布。研究表明,在紫光照射下,薄膜的漏电流密度变大,电导由5.1×10-7S增大到6.63×10-7S。通过对暗电流密度的拟合发现,BFMO薄膜为欧姆导电机制。
彭增伟刘保亭魏大勇马继奎王宽冒李曼赵光
关键词：光照铁电性质输运性质
含Ni-Al阻挡层硅基BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3铁电电容器的结构及物理性能被引量：4
2011年
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)/SRO异质结电容器。X射线衍射(XRD)分析表明:Ni-Al阻挡层为非晶结构,BFMO薄膜为具有良好结晶质量的多晶结构。在5 kHz测试频率下,SRO/BFMO/SRO电容器呈现饱和的电滞回线。实验发现,SRO/BFMO/SRO铁电电容器具有良好的抗疲劳性能。漏电机制研究表明,外加电场小于210 kV/cm时,SRO/BFMO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在电场大于210kV/cm时,满足空间电荷限流传导机制。
陈剑辉刘保亭魏大勇王宽冒崔永亮王英龙赵庆勋韦梦袆
关键词：NI-AL阻挡层
Influence of oxygen gas content on the structural and optical properties of ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering at room temperature被引量：7
2011年
Zinc oxide （ZnO） thin films were deposited on sapphire （0001） substrates at room temperature by radiofrequency （RF） magnetron sputtering at oxygen gas contents of 0%, 25%, 50% and 75%, respectively. The influence of oxygen gas content on the structural and optical properties of ZnO thin films was studied by a surface profile measuring system, X-ray diffraction analysis, atomic force microscopy, and UV spectro- photometry. It is found that the size of ZnO crystalline grains increases first and then decreases with the increase of oxygen gas content, and the maximum grain size locates at the 25% oxygen gas content. The crystalline quality and average optical transmittance （〉90%） in the visi- ble-light region of the ZnO film prepared at an oxygen gas content of 25% are better than those of ZnO films at the other contents. The obtained results can be attributed to the resputtefing by energetic oxygen anions in the growing process.
LIU BaotingZHOU YangZHENG HongfangLI ManaGUO ZheHAO QingxunPENG Yingcai
关键词：OXYGEN
快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响
2011年
采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理.通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了研究.结果表明,样品经过750℃退火后仍然保持非晶状态,且样品的表面平整,均方根粗糙度小于0.5 nm.在1 MHz测试频率下,由Pt/Ni-Al-O/Pt电容器测得的介电常数为9.9.MOS电容器的电学测试显示,700℃以上退火的样品有较高的电容值,较低的漏电流密度.研究表明,Ni-Al-O薄膜是一种有潜力的新型高k栅介质材料.
李曼刘保亭王玉强王宽冒
关键词：高K栅介质
(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3为电极的Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3和Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3铁电电容器结构及电学性能被引量：1
2013年
分别采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO)和Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片上构架了LSCO/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT(40/60))/LSCO和LSCO/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3(PZT(20/80))/LSCO铁电电容器,研究了两种铁电电容器的结构和性能。XRD结构分析表明:两种四方相的不同Zr/Ti比例的PZT薄膜均为结晶良好的多晶钙钛矿结构。在5 V测试电压下,LSCO/PZT(40/60)/LSCO和LSCO/PZT(20/80)/LSCO两种铁电电容器的剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为:28μC/cm2和1.2 V以及32μC/cm2和2 V。相对于PZT(40/60),PZT(20/80)具有较大的剩余极化强度和矫顽场,是由于其矩形度(c/a)较大。两种电容器都具有较好的脉宽依赖性和抗疲劳性。在5 V的测试电压下,LSCO/PZT(40/60)/LSCO电容器的漏电流密度为3.2×10-5A/cm2,LSCO/PZT(20/80)/LSCO电容器的漏电流密度为3.11×10-4A/cm2,经拟合分析发现:在0～5 V的范围内,两种电容器都满足欧姆导电机制。
贾冬梅刘保亭彭增伟郝彦磊朱慧娟张宪贵
关键词：铁电电容器矫顽场
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0