广东省自然科学基金(04300863)
- 作品数：5 被引量：27H指数：3
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- 相关机构：中国科学院深圳大学中国科学院研究生院更多>>
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- 预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜(英文)被引量：2
- 2008年
- 采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量。分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(102)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec ,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略。
- 彭冬生冯玉春牛憨笨刘晓峰
- 关键词：MOCVD表面处理GAN薄膜
- Monte Carlo模拟薄膜生长的研究被引量：3
- 2006年
- 阐述了MonteCarlo方法在薄膜生长中的应用和最新进展;简要论述了MonteCarlo算法的类型及各自的特点;结合MonteCarlo方法的特点,提出了模拟薄膜生长的模型以及处理方法。同时,归纳出MonteCarlo模拟薄膜生长需要解决的主要问题。
- 彭冬生冯玉春牛憨笨
- 关键词：MONTE薄膜生长
- 蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响被引量：5
- 2008年
- 采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率色散公式,计算得到GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果几乎一致;在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜表现出更优异的光学质量和结晶质量,其透射谱具有更高的透射率和更大的调制深度,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.
- 彭冬生冯玉春刘文刘毅牛憨笨
- 关键词：GAN薄膜光学性质表面处理MOCVD
- 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
- 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：15
- 2006年
- 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRDFWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点.
- 彭冬生冯玉春王文欣刘晓峰施炜牛憨笨
- 关键词：表面处理MOCVDGAN薄膜
