国家高技术研究发展计划(2003BA310A28)
- 作品数：12 被引量：21H指数：3
- 相关作者：王国强刘红日张苏明王绍明王安福更多>>
- 相关机构：郧阳师范高等专科学校华中科技大学湖北师范学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生一般工业技术更多>>
- 掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响被引量：4
- 2005年
- 采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zrx,Ti1-x)O3(PC-ZT)铁电薄膜,实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响.不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05μC/cm2,矫顽场Ec=26.35kV/cm,而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度,当掺杂钴达到12%时,Pr=36.26μC/cm2,矫顽场减小.同时,掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流.
- 王国强刘红日
- 关键词：铁电薄膜锆钛酸铅电性能溶胶-凝胶法
- ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能被引量：6
- 2006年
- 用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余极化强度为35.4×10–6C/cm2,矫顽场强为111×103V/cm。100kHz时的εr和tgδ分别为984和0.13。在外加电场小于9V时,薄膜的漏电流密度不超过10–8A/cm2。
- 刘国营刘祖黎柳擎刘红日
- 关键词：无机非金属材料SOL-GEL法电学性质
- BiFeO_3的磁性及磁电效应被引量：4
- 2005年
- 介绍了铁磁电材料BiFeO3中磁性的起源、单相材料中磁电效应的机理,并综述了BiFeO3及其与其他铁电材料的固熔体中的磁电效应.
- 刘红日王国强
- 关键词：磁电效应BIFEO3磁性铁电性
- Co和Nb掺杂PZT铁电薄膜的制备及性能研究
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法在LaNiO3／Si衬底上制备了PbCoy（Zrx，Ti1-x）O3（PCZT）与PbCoyNbx（ZrxTi1-x）O3PCNZT）铁电薄膜，实验发现钴掺杂PZT比例为12mol％时，PCZT薄膜具有优良的铁电性和介电性，但是漏电流较大．为了能够很好地弥补PCZT薄膜漏电流太大的缺点，在12mol％Co掺杂的PCZT薄膜中掺入不同比例的Nb（在1mol%～10mol％掺杂范围内），实验结果表明，Nb掺杂比例越大，PCNZT薄膜的漏电流越小，但同时Nb掺杂减小了PCZT薄膜的剩余极化强度和介电常数．
- 王国强王绍明刘红日
- 关键词：铁电薄膜锆钛酸铅电性能溶胶凝胶法
- 荧光半导体纳米晶体标记探针在Alzheimer病基因筛查早期诊断中的应用研究被引量：2
- 2008年
- 目的本研究探讨荧光半导体纳米晶体标记的寡核苷酸探针在Alzheimer病基因筛查中的应用价值。方法荧光半导体纳米晶体与ApoEε4等位基因特异性寡核苷酸反应合成探针,用以检测阳性标本和阴性标本的ApoE的基因型。结果新型荧光探针检测结果与标本基因型一致。结论荧光半导体纳米晶体标记探针在Alzheimer病相关基因检测中表现出优良特性,可望替代传统方法。
- 杨华静徐鹏王坚苗夏星张苏明
- 关键词：寡核苷酸探针
- 电导率对旋波介质吸波性能的影响被引量：1
- 2007年
- 旋波介质的吸波性能与介质的手性参量有关,而手性参量又与介质的电导率有关。制备了4种不同电导率基底的旋波介质,根据自由空间测量旋波介质手性参量的方法,通过测量两次复反射系数、透射偏转角和椭偏率,计算得到介质的手性参量和吸波性能。结果表明,改变旋波介质基底的电导率,可以调节旋波介质的电磁性能和吸波性能,当基底的电导率为4.2×10–2 S/cm时,旋波介质的吸波效果最好,其反射系数的最小值达–24 dB。
- 章平王国强
- 关键词：电子技术电导率吸波特性
- 电导率对旋波介质的手性参量和吸波性能的影响
- 2005年
- 对不同电导率基底的旋波介质进行测量,给出一种在自由空间测量旋波介质手性参量的方法.通过测量两次复反射系数、透射偏转角和椭偏率,计算得到介质的手性参量和吸波性能.对于手性参量及偏转角、椭偏率测量结果进行分析,结果表明,改变基底的电导率,可以调节旋波介质的电磁性能,当基底的电导率为4.2×10-2S/cm时,旋波介质的吸波效果最好,其反射系数的最小值达-24 dB.
- 王国强王安福王绍明
- 关键词：电导率偏转角吸波特性
- MR显微成像检测活体阿尔茨海默病转基因小鼠老年斑沉积的效果被引量：1
- 2007年
- 目的利用 MR 显微成像技术研究阿尔茨海默病转基因小鼠老年斑的沉积情况。方法2只17个月龄阿尔茨海默病转基因[V717I]小鼠和2只野生型小鼠,行活体 T_2WI,然后对照影像定位结果进行组织学切片及免疫组织化学染色。观察 T_2WI 中老年斑的沉积情况以及其与免疫组织化学染色结果的对应关系。结果转基因小鼠 T_2WI 上显示大脑皮层和海马区可见点状低信号,且部分低信号可以和组织学切片所显示的老年斑相对应;野生型小鼠 T_2WI 未见明显的低信号,免疫组织化学染色也未见到染色阳性的斑块。结论 MR 显微成像技术检测老年斑的沉积是可行的,且可用来特异性地诊断阿尔茨海默病。
- 胡学梅胡道予王东张苏明李震杜桂焕刘祖黎魏黎雷皓
- 关键词：磁共振成像阿尔茨海默病
- 在LiNaO_3基底上制备PZT铁电薄膜及其电性能研究
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制作Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度对薄膜结构和性能影响.通过X-ray分析表明,在600℃退火时,PZT薄膜已形成钙钛矿相,且在(100)择优取向的LaNiO3底电极上制备得到了(100)择优取向的PZT薄膜.实验测得以LaNiO3为衬底上的PZT薄膜的剩余极化强度为Pr=26.83μC/cm2,矫顽场Ec=30.43 kV/cm,介电常数为ε=5509,介电损耗为0.203.
- 王安福王国强王绍明
- 关键词：铁电薄膜锆钛酸铅电性能溶胶凝胶法
- 在ITO玻璃衬底上制备钛酸铋铁电薄膜
- 2006年
- 利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Sn的In2O3导电透明薄膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度对铁电薄膜结构和性能的影响.X-射线衍射分析表明,经650℃和650℃以上温度退火的薄膜为具有层状钙钛矿型结构Bi4Ti3O12的铁电薄膜.在750℃退火20 min得到Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化强度Pr=10μC/cm2,矫顽场Ec=45 kV/cm.
- 章平王国强王安福江锐
- 关键词：铁电薄膜钛酸铋溶胶凝胶法
