天津市科技发展战略研究计划项目(06YFGZGX02100)
- 作品数：12 被引量：76H指数：6
- 相关作者：薛俊明耿新华赵颖孙建侯国付更多>>
- 相关机构：南开大学河北工业大学光电信息技术科学教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：天津市科技发展战略研究计划项目国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用被引量：13
- 2006年
- 微晶硅(μc-Si：H)是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性,器件质量级材料的表征参量,材料的生长技术,微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。
- 俞远高侯国付王锐薛俊明赵颖耿新华杨瑞霞
- 关键词：微晶硅等离子体增强化学气相沉积太阳电池
- PET塑料衬底上柔性硅基薄膜电池研究
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池。首先研究了低温条件下硅烷浓度对本征层材料及电池性能的影响,在125℃的低温条件下,在玻璃衬底上制备出效率达到6.8%的...
- 倪牮薛俊明赵鹏袁育杰张建军侯国付孙建赵颖耿新华
- 关键词：硅薄膜太阳电池柔性衬底PET
- 文献传递
- 氧流量对绒面氧化锌透明导电薄膜性能的影响被引量：13
- 2008年
- 利用中频脉冲磁控溅射工艺制备了低阻高透过率的ZAO薄膜,用湿法腐蚀的方法将制备的平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间得到绒面ZAO薄膜。研究了氧流量对腐蚀后薄膜表面形貌的影响。结果表明,随着氧流量的增大腐蚀后薄膜的表面形貌由花瓣状逐渐为适合太阳电池的陨石坑状,在氧流量为3.6sc-cm时(氩流量为12sccm)得到最好的绒面ZAO薄膜,继续增加氧流量,薄膜开始变得粗糙,说明薄膜的表面形貌又变差。
- 段苓伟薛俊明杨瑞霞赵颖耿新华
- 关键词：氧流量湿法腐蚀
- 用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极被引量：8
- 2007年
- 本文首先在低温（140℃）和低功率下采用Zn：Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO：Al透明导电膜。然后在单结（glass／SnO2／pin／）或双结（glass／SnO2／pin／pin／）非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。实验获得了较好的n^＋／ZnO界面，实现了ZnO／Al背电极的增反作用，使电池的短路电流增加1-3mA／cm^2，光电转化效率提高1—3％（绝对效率），小面积电池效率达到9．5％。
- 薛俊明孙建任慧志刘云周段苓伟周祯华张德坤赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅电池背反射短路电流
- NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究被引量：9
- 2007年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法。通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5min,N层沉积12min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%。通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
- 王锐薛俊明俞远高侯国付李林娜孙建张德坤杨瑞霞赵颖耿新华
- 关键词：太阳能电池
- p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响
- 2007年
- 本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响。研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降。而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小。
- 薛俊明韩建超张德坤孙建任慧志管智贇赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅太阳电池缓冲层
- ZnO∶Al绒面透明导电薄膜性能研究被引量：2
- 2008年
- 利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在一定浓度的稀盐酸中浸泡一定时间,使其形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了溅射功率、工作压力、腐蚀时间以及溶液浓度对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:低功率、低气压、腐蚀时间20 s、溶液浓度0.5%的条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在应用前景。
- 薛俊明黄宇熊强马铁华孙建赵颖耿新华
- 关键词：凝聚态物理学绒面溅射功率工作气压
- 掺杂B(CH)_3的P型a-SiC:H层及a-Si:H电池的P/I界面研究被引量：3
- 2007年
- 研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B（CH3）3（TMB）的P型氢化非晶硅碳（a-SiC：H）窗口材料性能的影响，获得了电导率达到8．97×10^-7／cm、光学带隙大于2．0eV的P型a-SiC：H窗口材料。研究了单结电池P型a-SiC：H窗口层的CH4流量与P、I层制备温度三者间的匹配关系。结果表明，随着衬底温度的提高，需要更多的CH4流量以增大P型窗口层的带隙B和电池的短路电流密度Jsc；沉积系统中，P型窗口层的温度比本征吸收层高25-50℃时，电池性能较好。研究了3种类型的P／I缓冲层对单结电池性能的影响。大量实验表明，不掺B的C缓冲层适合于低温和小CH4流量情况使用；掺B的C缓冲层＋不掺B的C缓冲层适合于高温和大CH4流量情况使用；采用不掺B的C缓冲层的电池光稳定性高于采用B、C渐变缓冲层的电池。研究还表明，采用新型TMB作为P型窗口层掺杂剂的电池比传统采用B2H6作为P型窗口层掺杂剂的电池转换效率提高约1.0％。
- 薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华
- 关键词：光学带隙
- 氧分压对低温制备In2O3:Sn薄膜性能的影响
- 采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。研究表明,当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,获...
- 曹丽冉陈新亮薛俊明张德坤孙建赵颖耿新华
- 关键词：ITO薄膜氧分压散射机制
- 文献传递
- 用VHF-PECVD技术研制大面积均匀硅基薄膜被引量：3
- 2007年
- 首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作压力、沉积功率、流量等工作参数对均匀性、沉积速率、材料特性的影响进行了研究。结果表明:在本文所研究的范围内,适当提高工作气压可以提高薄膜的均匀性,而功率的变化对均匀性影响不大;在一定范围内提高工作气压和功率都可提高沉积速率;从薄膜的质量来说,气压低时较好,而功率则应适当选择。通过优化沉积条件,我们在普通浮法玻璃上制备出了面积为23×24cm^2,厚度不均匀性为±1.4%,最高沉积速率达10.5/s,光敏性最大为2.25×10~5的a-Si:H薄膜材料。
- 薛俊明侯国付王凯杰孙建任慧志张德坤赵颖耿新华
- 关键词：VHF-PECVD硅基薄膜
